
制造商:ADI/AD
優(yōu)勢和特點
增益: 16 dB
飽和輸出功率: +18 dBm
輸出IP3: +25 dBm
單正電源:+5V (101 mA)
50 Ω匹配輸入/輸出
裸片尺寸: 2.26 x 1.35 x 0.1 mm
產(chǎn)品詳情
HMC383是一款通用型GaAs PHEMT MMIC驅(qū)動放大器,工作頻率范圍為12至30 GHz。 該放大器采用+5V電源,增益為16 dB,飽和功率為+18 dBm。 在整個工作頻帶內(nèi)具有一致的增益和輸出功率,因而可以在多個無線電頻段使用一個通用的驅(qū)動器/LO放大器。 由于尺寸較小、采用單電源工作和隔直RF I/O,HMC383放大器可輕松集成到多芯片模塊(MCM)中。 所有數(shù)據(jù)均采用50 ?測試夾具中的芯片測得,該夾具通過直徑為0.025 mm (1 mil)、最小長度為0.31 mm (12 mils)的焊線連接。
應(yīng)用
點對點無線電
點對多點無線電和VSAT
測試設(shè)備和傳感器
HMC混頻器LO驅(qū)動器
軍事和太空
隨著物理極限開始制約摩爾定律的發(fā)展,加之人工智能不斷突破技術(shù)邊界,計算需求和處理能力要求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。為了賦能生成式人工智能應(yīng)用,現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心不得不采用Multi-Die設(shè)計,而這又帶來了許多技術(shù)要求,包括高帶寬和低功耗Die-to-Die連接。
MOSAID Technologies今天宣布,他們已經(jīng)試產(chǎn)了全球第一顆采用驚人十六die封裝的 NAND閃存芯片,讓他們和諧地運行在了一個高性能通道內(nèi)。
SK海力士近日悄然在其產(chǎn)品目錄中增加了16Gb(2GB)容量的單Die DDR4內(nèi)存顆粒,不僅可以使用更少的芯片打造大容量內(nèi)存條,還為單條256GB內(nèi)存條鋪平了道路。
第一款即將于今年秋天推出的VR體驗是基于《無敵破壞王2:大鬧互聯(lián)網(wǎng)》改編而成,被命名為“Ralph Breaks VR”。而第二款體驗則是根據(jù)一部即將在2019年上映的尚未公開的漫威電影改編,目前還未公布確切信息。漫威將于2019年推...
三月份首次公開展示之后,三星電子今天宣布,已經(jīng)全球第一個開始量產(chǎn)基于16Gb(2GB) Die顆粒的新一代64GB DDR4 RDIMM內(nèi)存條,主要面向企業(yè)和云服務(wù)應(yīng)用。
在Intel第三代3D閃存固態(tài)盤我們可以知道的是,用上了 Host Memory Buffer (HMB)技術(shù),Intel的單Die升級到了512Gb,不需要整合DRAM做緩沖池。具體的信息將會CES 2018上才知曉。
SSI芯片必須了解的基本問題
Diodes公司推出新型ZXLD381及ZXLD383 LED 驅(qū)動器是專為實現(xiàn)以單個太陽能或充電電池驅(qū)動的低功率高亮度LED 而設(shè)計的最簡單可行的
HMC-C030 | HMC387 | HMC372 | HMC405 |
HMC327 | HMC723LP3E | HMC425A | HV257 |
HMC909 | HMC415 | HMC463LH250 | HMC-C040 |
HMC652-Die | HMC1167 | HMC654-Die | HMC1095 |
HMC445 | HMC1161 | HMC337 | HMC190B |