
制造商:ADI/AD
優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)
噪聲系數(shù): 3.5 dB
增益: 20 dB
單電源: +3V (36 mA)
小尺寸: 1.06 x 2.02 mm
產(chǎn)品詳情
HMC342芯片是一款GaAs MMIC低噪聲放大器(LNA),工作頻率范圍為13至25 GHz。 由于尺寸較小(2.14 mm2),該芯片可輕松集成到多芯片模塊(MCM)中。 該芯片采用GaAs PHEMT工藝制造而成,采用3 V (41 mA)單個(gè)偏置電源時(shí)提供20 dB增益,噪聲系數(shù)為3.5 dB。 所有數(shù)據(jù)均采用50 ?測(cè)試夾具中的芯片測(cè)得,該夾具通過直徑為0.025 mm (1 mil)、最小長(zhǎng)度0.31 mm (<12 mils)的焊線連接。
應(yīng)用
微波點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無線電
毫米波點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無線電
VSAT 和 SATCOM
簡(jiǎn)介 半導(dǎo)體行業(yè)面臨的一個(gè)主要挑戰(zhàn)是無法在量產(chǎn)階段早期發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品缺陷。如果將有缺陷的產(chǎn)品投放市場(chǎng),將會(huì)給企業(yè)帶來巨大的經(jīng)濟(jì)和聲譽(yù)損失。對(duì)超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、網(wǎng)絡(luò)和 AI 應(yīng)用的高性能計(jì)算片上系統(tǒng) (SoC) 的設(shè)計(jì)開發(fā)者...
是什么推動(dòng)了Multi-Die系統(tǒng)的發(fā)展?由于AI、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、自動(dòng)駕駛汽車等應(yīng)用的高速發(fā)展,單片片上系統(tǒng)(SoC)已經(jīng)不足以滿足人們對(duì)芯片的需求了。Multi-Die系統(tǒng)是在單個(gè)封裝中集
作為半導(dǎo)體制造的后工序,封裝工藝包含背面研磨(Back Grinding)、劃片(Dicing)、芯片鍵合(Die Bonding)、引線鍵合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步驟。
的。在達(dá)摩克利斯之劍的威脅下,愛普生(EPSON)以M-A342和M-A342VD10為核心,推出M-A342系列三軸振動(dòng)傳感器以優(yōu)化數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)。
DAF膠膜,全稱芯片粘接薄膜(Die Attach Film),又稱固晶膜或晶片黏結(jié)薄膜,是半導(dǎo)體封裝中的關(guān)鍵材料,用于實(shí)現(xiàn)芯片(Die)與基板(Substrate)或框架(Lead Frame)之間的高性能、高可靠性連接。這種連接直接決定了器件的機(jī)械強(qiáng)度、導(dǎo)熱性能和長(zhǎng)期可靠性。
Multi-Die設(shè)計(jì)是一種在單個(gè)封裝中集成多個(gè)異構(gòu)或同構(gòu)裸片的方法,雖然這種方法日益流行,有助于解決與芯片制造和良率相關(guān)的問題,但也帶來了一系列亟待攻克的復(fù)雜性和變數(shù)。尤其是,開發(fā)者必須努力確保
隨著物理極限開始制約摩爾定律的發(fā)展,加之人工智能不斷突破技術(shù)邊界,計(jì)算需求和處理能力要求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)。為了賦能生成式人工智能應(yīng)用,現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心不得不采用Multi-Die設(shè)計(jì),而這又帶來了許多技術(shù)要求,包括高帶寬和低功耗Die-to-Die連接。
使用 S7-1200 與 S7-300 用 CP342-5 進(jìn)行主從通信,這里S7-1200 的 CM1243-5 做為主站,將 CP342-5 做從站。
HMC7144 | HMC584 | HCPL0500 | HMC1058 |
HMC704 | HMC-MDB277 | HMC807 | HMC601 |
HMC342-Die | HMC1086F10 | HMC391 | HMC590-Die |
HMC534 | HMC518 | HV9910C | HMC797APM5E |
HMC644A | HMC535 | HMC854 | HMC365S8G |