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制造商：ADI/AD
優(yōu)勢和特點
集成LO放大器： -4 dBm輸入
次諧波(x2) LO
集成IF放大器： 增益：3 dB
小尺寸： 1.32 x 1.32 x 0.1 mm
產(chǎn)品詳情
HMC265芯片是一款集成LO和IF放大器的次諧波(x2) MMIC下變頻器。 該芯片利用GaAs PHEMT技術，芯片整體面積為1.74 mm2。 2LO至RF隔離性能出色，無需額外濾波。 LO放大器采用單偏置（+3V至+4V）雙級設計，僅需-4 dBm的標稱驅動。 所有數(shù)據(jù)均采用50 ?測試夾具中的芯片測得，該夾具通過直徑為0.025 mm (1 mil)、最小長度<0.31 mm (<12 mils)的焊線連接。 此下變頻器IC對基于混合型二極管的下變頻器MMIC組件是更小、更可靠的極佳替代品。
應用
微波點對點無線電
LMDS?
SATCOM
HMC265-DIE電路圖
| 型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
|---|---|---|---|
| HMC265 | - | - | 立即購買 |
| HMC265-SX | - | - | 立即購買 |
新思科技IP營銷和戰(zhàn)略高級副總裁John Koeter表示：裸片拆分和分解的趨勢下，需要超短和特短距離鏈接，以實現(xiàn)裸晶芯片之間的高數(shù)據(jù)速率連接。
H.265 HEVC FPGA ASIC 硬編碼 zobovision
Multi-Die設計是一種在單個封裝中集成多個異構或同構裸片的方法，雖然這種方法日益流行，有助于解決與芯片制造和良率相關的問題，但也帶來了一系列亟待攻克的復雜性和變數(shù)。尤其是，開發(fā)者必須努力確保
隨著物理極限開始制約摩爾定律的發(fā)展，加之人工智能不斷突破技術邊界，計算需求和處理能力要求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。為了賦能生成式人工智能應用，現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心不得不采用Multi-Die設計，而這又帶來了許多技術要求，包括高帶寬和低功耗Die-to-Die連接。
可能你偶爾會聽見硬件工程師，或者芯片設計工程師講述一些專業(yè)名詞，比如今天說的wafer、die、cell等。
2D芯片設計中通常為二階或三階的效應，在Multi-Die系統(tǒng)中升級為主要效應。
在當今時代，摩爾定律帶來的收益正在不斷放緩，而Multi-Die系統(tǒng)提供了一種途徑，通過在單個封裝中集成多個異構裸片（小芯片），能夠為計算密集型應用降低功耗并提高性能。
MOSAID Technologies今天宣布，他們已經(jīng)試產(chǎn)了全球第一顆采用驚人十六die封裝的 NAND閃存芯片，讓他們和諧地運行在了一個高性能通道內。
| HMC518 | HMC590LP5 | HMC512 | HMC545A |
| HMC-C046 | HV98100 | HMC408 | HMC273A |
| HMC433 | HMC-C042 | HV2321 | HMC5846 |
| HMC721LP3E | HV9980 | HMC679 | HMC358 |
| HMC442-Die | HMC413 | HMC951B | HMC650 |
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