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    首頁(yè)產(chǎn)品索引HMC-XDB112

    HMC-XDB112

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    x2無(wú)源倍頻器芯片,20 - 30 GHz輸出

    制造商:ADI/AD

    中文數(shù)據(jù)手冊(cè)

    產(chǎn)品信息

    優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

      轉(zhuǎn)換損耗: 13 dB

      無(wú)源: 無(wú)需直流偏置

      輸入驅(qū)動(dòng): +13 dBm

      高Fo隔離: 30 dB

      裸片尺寸: 2.2 x 0.65 x 0.1 mm

    產(chǎn)品詳情

    HMC-XDB112是一款單芯片無(wú)源倍頻器,采用GaAs異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)技術(shù),適用于低頻率倍頻比直接生成高頻率更加經(jīng)濟(jì)的大規(guī)模應(yīng)用。 所有焊盤和芯片背面都經(jīng)過(guò)Ti/Au金屬化,HBT器件已完全鈍化以實(shí)現(xiàn)可靠操作。

    HMC-XDB112無(wú)源倍頻器MMIC可兼容常規(guī)的芯片貼裝方法,以及熱壓縮和熱超聲線焊,非常適合MCM和混合微電路應(yīng)用。 此處顯示的所有數(shù)據(jù)均是芯片在50 Ohm環(huán)境下使用RF探頭接觸測(cè)得。

    應(yīng)用

      點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電

      VSAT

      測(cè)試儀器儀表

      軍事和太空

      時(shí)鐘發(fā)生

    電路圖、引腳圖和封裝圖

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    HMC-XDB112-SX-- 立即購(gòu)買
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