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制造商：ADI/AD
優(yōu)勢和特點
無源雙平衡拓撲結構
LO至RF高隔離： 30 dB
低轉換損耗： 8 dB
寬IF帶寬： DC - 5 GHz
裸片尺寸： 0.9 x 1.0 x 0.1 mm
產品詳情
HMC-MDB169是一款無源雙平衡MMIC混頻器，采用GaAs異質結雙極性晶體管(HBT)肖特基二極管技術，可用作上變頻器或下變頻器。 這款緊湊型混頻器具有寬IF帶寬、低轉換損耗、LO至RF和LO至IF的高隔離性能。 所有焊盤和芯片背面都經(jīng)過Ti/Au金屬化，Shottky器件已完全鈍化以實現(xiàn)可靠操作。
HMC-MDB169雙平衡混頻器可兼容常規(guī)的芯片貼裝方法，以及熱壓縮和熱超聲線焊，非常適合MCM和混合微電路應用。 這款緊湊型MMIC可以取代混合型雙平衡式混頻器，而且體積要小得多，性能更加穩(wěn)定。 此處顯示的所有數(shù)據(jù)均是芯片在50 Ohm環(huán)境下使用RF探頭接觸測得。
應用
短程/高容量無線電
點對多點設備
軍用雷達、ECM和EW
衛(wèi)星通信
HMC-MDB169電路圖
| 型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
|---|---|---|---|
| HMC-MDB169-SX | - | - | 立即購買 |
| HMC-MDB169 | - | - | 立即購買 |
HMC-MDB277是一款無源雙平衡MMIC混頻器，采用GaAs異質結雙極性晶體管(HBT)肖特基二極管技術，可用作上變頻器或下變頻器。 所有焊盤和芯片背面都經(jīng)過Ti/Au金屬化，Shottky器件已完全鈍化以實現(xiàn)可靠操作。
HMC-MDB218是一款次諧波(x2)MMIC混頻器，可用作鏡像抑制混頻器(IRM)或單邊帶上變頻器。 此款無源MMIC混頻器采用GaAs異質結雙極性晶體管(HBT)肖特基二極管技術制造。 針對下變頻應用，外部正交混合器件可用于選擇所需邊帶同時抑制圖像信號。
HMC-MDB172是一款單芯片I/Q混頻器，可用作鏡像抑制混頻器(IRM)或單邊帶上變頻器。 此款無源MMIC采用GaAs異質結雙極性晶體管(HBT)肖特基二極管技術制造。 針對下變頻應用，外部正交混合器件可用于選擇所需邊帶同時抑制圖像信號。
HMC-MDB171是一款單芯片I/Q混頻器，可用作鏡像抑制混頻器(IRM)或單邊帶上變頻器。 此款無源MMIC混頻器采用GaAs異質結雙極性晶體管(HBT)肖特基二極管技術制造。 針對下變頻
HMC-MDB169是一款無源雙平衡MMIC混頻器，采用GaAs異質結雙極性晶體管(HBT)肖特基二極管技術，可用作上變頻器或下變頻器。 這款緊湊型混頻器具有寬IF帶寬、低轉換損耗、LO至RF和LO
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| HMC463LP5 | HMC-C035 | HMC533 | HMC7357 |
| HMC452ST89 | HMC448LC3B | HMC574A | HMC508 |
| HMC376 | HMC662 | HMC557A | HMC675LC3C |
| HMC741 | HMC734 | HMC-ALH445 | HMC1161 |
| HMC394 | HMC590LP5 | HMC6301 | HMC835 |
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