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    首頁產(chǎn)品索引FDZ193P

    FDZ193P

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    ?-20V P溝道1.7V PowerTrench? WL-CSP MOSFET

    制造商:ON

    中文數(shù)據(jù)手冊

    產(chǎn)品信息

    FDZ193P采用飛兆先進(jìn)的1.7 V PowerTrench?工藝和最新“低間距”WLCSP封裝工藝設(shè)計,可最大限度地減小PCB空間和r
    。 先進(jìn)的WLCSP MOSFET彰顯了封裝技術(shù)的突破性進(jìn)展,使該器件將卓越的傳熱特性、超薄型封裝、低柵極電荷和低r
    融合為一體。
    • V
    • = -4.5V,I
    • = -1A時,r
    • = 90 mΩ(最大值)
    • V
    • = -2.5V,I
    • = -1A時,r
    • = 130 mΩ(最大值)
    • V
    • = -1.7V,I
    • = -1A時,最大r
    • = 300mΩ
    • 僅占1.5mm2的PCB空間,比2 x 2 BGA所占空間少50%
    • 超薄封裝: 安裝至PCB時,高度小于0.65 mm
    • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

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    技術(shù)資料

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    WLCSP6 1.5x1x0.6PDF38 點(diǎn)擊下載
    FDZ193P-D.pdfPDF424 點(diǎn)擊下載
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool? MOSFETsPDF501 點(diǎn)擊下載
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT?-6 Power MOSFETsPDF319 點(diǎn)擊下載
    Shielded Gate PowerTrench? MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 點(diǎn)擊下載
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 點(diǎn)擊下載
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 點(diǎn)擊下載
    MOSFET BasicsPDF1159 點(diǎn)擊下載

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    FAN2315AMPXFPF2223FAN3226TFSUSB42
    FOD3180FFSP1265AFNB35060TFXWA9306
    FDMF3172FSBB20CH120DFFDZ1905PZFGH40N60SFD
    FSQ110FODM453FSGM300NFSA3031
    FSD176MRTFYP2010DNFPAM50LH60FSA2259
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