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    首頁產(chǎn)品索引FDZ1905PZ

    FDZ1905PZ

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    ?-20V共用漏極P溝道1.5V額定PowerTrench? WL-CSP MOSFET

    制造商:ON

    中文數(shù)據(jù)手冊

    產(chǎn)品信息

    該器件專門設(shè)計(jì)為單封裝解決方案,適合手機(jī)和其他超便攜應(yīng)用的電池充電開關(guān)。 FDZ1905PZ采用飛兆先進(jìn)的1.5V PowerTrench
    工藝和最新?°低間距?± WL-CSP封裝工藝設(shè)計(jì)而成,具有兩個共用漏極P溝道MOSFET,可提供雙向電流,最大限度地減小了PCB空間和r
    。 先進(jìn)的WL-CSP MOSFET彰顯了封裝技術(shù)的突破性進(jìn)展,使該器件將卓越的傳熱特性、超薄型封裝、低柵極電荷和低rS1S2(on)融合為一體。
    • 最大 r
    • = 126mΩ(V
    • = -4.5V,I
    • = -1A 時)
    • 最大 r
    • = 141mΩ(V
    • = -2.5V,I
    • = -1A 時)
    • 最大 r
    • = 198mΩ(V
    • = -1.8V,I
    • = -1A 時)
    • 最大r
    • = 303mΩ(V
    • = -1.5V,I
    • = -1A 時)
    • 僅占1.5mm2的PCB空間,比2 x 2 BGA所占空間少50%
    • 超薄封裝: 安裝至PCB時,高度小于0.65 mm
    • 高功率和高電流處理能力
    • HBM靜電放電保護(hù)等級為>4kV(注3)
    • 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

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    技術(shù)資料

    標(biāo)題類型大?。↘B)下載
    PCB Land Pattern Design and Surface Mount Guidelines for MicroFET? PackagesPDF213 點(diǎn)擊下載
    PSPICEUNKNOW162 點(diǎn)擊下載
    WLCSP6 1.5x1x0.6PDF38 點(diǎn)擊下載
    FDZ1905PZ-D.pdfPDF283 點(diǎn)擊下載
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool? MOSFETsPDF501 點(diǎn)擊下載
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT?-6 Power MOSFETsPDF319 點(diǎn)擊下載
    Shielded Gate PowerTrench? MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 點(diǎn)擊下載
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 點(diǎn)擊下載

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    FSQ0165RNFFSP15120AFAN3180FAN5909
    FSQ0370RNAFIN1101FAN53526FSB50260SF
    FSFR1700XSFSB50325ASFPF2280FPF2001
    FERD20U50FGH40N65UF_F085FNB80560T3FOD8342
    FJV3115RFPAM50LH60FGH60N60SM_F085FDMC010N08C
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