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    首頁產(chǎn)品索引FDG6321C

    FDG6321C

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    ?雙N&P溝道數(shù)字FET

    制造商:ON

    中文數(shù)據(jù)手冊

    產(chǎn)品信息

    雙N&P溝道邏輯電平增強模式場效應(yīng)晶體管采用了飛兆半導(dǎo)體專有的高單元密度、DMOS技術(shù)。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗而定制的。 該器件特別為低電壓應(yīng)用設(shè)計,以替代雙極數(shù)字晶體管和小信號MOSFETS。 由于不需要偏壓電阻,該雙通道數(shù)字FET可取代數(shù)個具有不同偏壓電阻值的數(shù)字晶體管。
    • N溝道 0.50 A、25 V、R
    • = 0.45 Ω @ V
    • = 4.5 V、 R
    • = 0.60 Ω @ V
    • = 2.7 V。
    • P溝道 -0.41 A、-25 V、 R
    • = 1.1 Ω @ V
    • = -4.5 V、R
    • = 1.5 Ω @ V
    • = -2.7 V。
    • 超小封裝外形SC70-6。
    • 極低的柵極驅(qū)動要求允許3V電路的直接運行(V
    • < 1.5 V)。
    • 柵-源齊納二極管增強耐靜電放電(ESD)能力(>6kV人體模型)。

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    FDG6321C-F169-- 立即購買
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    技術(shù)資料

    標(biāo)題類型大小(KB)下載
    SC-88 (SC-70 6 Lead), 1.25x2PDF58 點擊下載
    Dual N & P Channel Digital FETPDF241 點擊下載
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool? MOSFETsPDF501 點擊下載
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT?-6 Power MOSFETsPDF319 點擊下載
    Shielded Gate PowerTrench? MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 點擊下載
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 點擊下載
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 點擊下載
    MOSFET BasicsPDF1159 點擊下載

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    系列產(chǎn)品索引查看所有產(chǎn)品

    FAN48619FQPF16N15FAN7083_GF085FDMF6704A
    FSB50660SFFPF1048FDMC510PFFSP3065A
    FGD3040G2_F085FAN3226CFXMA2102FPF2101
    FXMAR2102FGH40T65SPDFNA41560T2FNA40560
    FAN53526FDMF6704VFSFR1800HSFSA850
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