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    首頁(yè)產(chǎn)品索引FDMC510P

    FDMC510P

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    ?-20V P溝道PowerTrench? MOSFET

    制造商:ON

    中文數(shù)據(jù)手冊(cè)

    產(chǎn)品信息

    此P溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench?工藝生產(chǎn),這一先進(jìn)工藝已針對(duì)r
    、開(kāi)關(guān)性能和穩(wěn)固性進(jìn)行了優(yōu)化。
    • 最大值 R
    • = 8.0 mΩ(V
    • = -4.5 V, I
    • = -12 A
    • 最大值 R
    • = 9.8 mΩ(V
    • = -2.5 V, I
    • = -10 A
    • 最大值 R
    • = 13 mΩ(V
    • = -1.8 V, I
    • = -9.3 A
    • 最大值 R
    • = 17 mΩ(V
    • = -1.5 V, I
    • = -8.3 A
    • 高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的R
    • 高功率和高電流處理能力,采用廣泛使用的表面貼裝封裝
    • 100%經(jīng)過(guò)UIL測(cè)試
    • 終端無(wú)引線且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
    • HBM ESD能力等級(jí)> 2KV典型值

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    技術(shù)資料

    標(biāo)題類(lèi)型大小(KB)下載
    WDFN8 3.3x3.3, 0.65PPDF29 點(diǎn)擊下載
    P-Channel PowerTrench MOSFET -20 V, -18 A, 8.0 m-OhmPDF310 點(diǎn)擊下載
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool? MOSFETsPDF501 點(diǎn)擊下載
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT?-6 Power MOSFETsPDF319 點(diǎn)擊下載
    Shielded Gate PowerTrench? MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 點(diǎn)擊下載
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 點(diǎn)擊下載
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 點(diǎn)擊下載
    MOSFET BasicsPDF1159 點(diǎn)擊下載

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    FOD060LFDV304PFYPF2006DNFSAL200
    FAN103WFAN54151FAN6208FAN5702
    FSA8049FOD0710FAN3122T_F085FPF2496
    FSL156MRINFAN3121C_F085FSL336LRDFAN48619
    FXMA2104FOD8163FNB40560B2FAN3216T
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