
制造商:TI
CSD25404Q3 封裝圖
新的CSD版本5.0.1可以從pro.bose.com下載。該版本有一系列新特性,包括工具及算法,方便設(shè)計(jì)者對(duì)Bose ControlSpace處理器、端點(diǎn)和PowerMatch功放進(jìn)行音頻處理和網(wǎng)絡(luò)操作。
這款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換中的損耗 應(yīng)用。 *附件:CSD18543Q3A 60V N 溝道
這款 40 V、1.3 mΩ、5 mm × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:CSD18512Q5B 40 V N 溝道 NexFET
這款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:CSD18510Q5B N 溝道 NexFET 功率
CSD88584Q5DC 40V 電源塊是針對(duì)大電流電機(jī)控制應(yīng)用(如手持式、無繩花園和電動(dòng)工具)的優(yōu)化設(shè)計(jì)。該器件采用 TI 的專利堆疊芯片技術(shù),以最大限度地減少寄生電感,同時(shí)在節(jié)省空間的熱增強(qiáng)型
CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源、雙 N 通道器件,專為 USB Type-C/PD 和電池保護(hù)而設(shè)計(jì)。這款 SON 3.3 × 3.3 mm 器件具有低漏極到漏極導(dǎo)通電阻,可最大限度地減少損耗,并為空間受限的應(yīng)用提供較少的元件數(shù)量。
CSD86336Q3D NexFET? 電源塊是針對(duì)同步降壓應(yīng)用的優(yōu)化設(shè)計(jì),可在 3.3mm × 3.3mm 的小型外形中提供高電流、高效率和高頻功能。該產(chǎn)品針對(duì) 5V 柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,提供了一種靈活的解決方案,當(dāng)與來自外部控制器/驅(qū)動(dòng)器的任何 5V 柵極驅(qū)動(dòng)器配對(duì)時(shí),能夠提供高密度電源。
CSD86356Q5D NexFET? 電源塊是針對(duì)同步降壓應(yīng)用的優(yōu)化設(shè)計(jì),可在 5 mm × 6 mm 的小型外形中提供高電流、高效率和高頻功能。該產(chǎn)品針對(duì) 5V 柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,提供了一種靈活的解決方案,當(dāng)與來自外部控制器/驅(qū)動(dòng)器的任何 5V 柵極驅(qū)動(dòng)器配對(duì)時(shí),能夠提供高密度電源。
CR2025 | cd4046 | CAV25080 | C4532X5R0J476M250KA |
CM1457 | C1206C105K5RACTU | CL7 | CAT93C76B |
CAT5171 | CPH5905 | CC2541-Q1 | CAT4016 |
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CL10A106MA8NRNC | CAT4109 | cd4051 | CC2640 |