CSD18536KCS

制造商：TI

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• 借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

  ...問(wèn)題嗎？”我問(wèn)。他確實(shí)碰到過(guò)，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息。

  2010-10-10
• WAP技術(shù)與業(yè)務(wù)

  WAP技術(shù)與業(yè)務(wù) 摘  要：介紹WAP的發(fā)展、結(jié)構(gòu)、基于GSM網(wǎng)絡(luò)的承載能力以及WAP業(yè)務(wù)。關(guān)鍵詞：WAP  GSM   SMS  CSD  USSD&nbs

  2010-10-10
• 關(guān)于存算融合的新型數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施技術(shù)

  SNIA定義了三種計(jì)算存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)：Computational Storage Drive（CSD,即可計(jì)算型SSD，包含持久存儲(chǔ)和計(jì)算模塊）、Computational Storage

  2023-05-26
• ?TI CSD96416同步降壓NexFET?功率級(jí)技術(shù)解析與應(yīng)用指南

  Texas Instruments CSD96416同步降壓NexFET?功率級(jí)是高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，用于大功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)器IC和功率MOSFET，可完成功率級(jí)開關(guān)功能。該

  2025-08-28
• CSD95411同步降壓NexFET?功率級(jí)技術(shù)解析與應(yīng)用指南

  Texas Instruments CSD95411同步降壓NexFET?功率級(jí)是高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，用于大功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件集成了驅(qū)動(dòng)器IC和功率MOSFET以完成功率級(jí)轉(zhuǎn)換功能。該

  2025-08-28
• CSD96415RWJ同步降壓NexFET?功率級(jí)技術(shù)解析

  Texas Instruments CSD96415同步降壓NexFET?功率級(jí)是高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，用于大功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)器IC和功率MOSFET，可完成功率級(jí)開關(guān)功能。該

  2025-08-27
• ?CSD96370Q5M同步降壓NexFET?功率級(jí)芯片技術(shù)文檔總結(jié)

  CSD96370Q5M NexFET 功率級(jí)經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度 同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了增強(qiáng)型柵極驅(qū)動(dòng)器IC和電源模塊技術(shù)，以完成功率級(jí)開關(guān)功能。這種組合可產(chǎn)生高電流、高效率

  2025-08-08
• ?CSD97370AQ5M同步降壓NexFET?功率級(jí)總結(jié)

  CSD97370AQ5M NexFET 功率級(jí)經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度 同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了增強(qiáng)型柵極驅(qū)動(dòng)器IC和電源模塊技術(shù)，以完成功率級(jí)開關(guān)功能。這種組合可產(chǎn)生高電流、高效率

  2025-08-08

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