
制造商:ADI/AD
優(yōu)勢和特點(diǎn)
高增益:200 V/mV(典型值)
單電源或雙電源供電
輸入電壓范圍包括地電壓
低功耗:每個比較器1.5 mW
低輸入偏置電流:100 nA(最大值)
低輸入失調(diào)電流:10 nA(最大值)
低失調(diào)電壓:1 mV(最大值)
低輸出飽和電壓:250 mV (4 mA)
邏輯輸出兼容TTL、DTL、ECL、MOS和CMOS
LM139/LM239/LM339比較器的直接替代產(chǎn)品
產(chǎn)品詳情
CMP04是一款四路獨(dú)立的精密比較器,具有以下性能亮點(diǎn):極低失調(diào)電壓、低輸出飽和電壓、高增益以及單電源設(shè)計(jì)。輸入電壓范圍介于單電源供電的地電壓至分離電源供電的V-之間。電源電流僅為2 mA,而且與電源電壓無關(guān),因而該器件是要求極低功耗的精密應(yīng)用的首選比較器。開集TTL輸出則賦予邏輯接口極大的靈活性。引言 Cu作為深度亞微米的多電級器件材料,由于其電阻低、電遷移電阻高和電容降低,與鋁相比的時(shí)間延遲。本文從理論和實(shí)驗(yàn)上研究了檸檬酸基銅化學(xué)機(jī)械平坦化后二氧化硅顆粒對銅膜的粘附力以及添加劑對顆粒粘附和去除的...
本文介紹了半導(dǎo)體研磨方法中的化學(xué)機(jī)械研磨拋光CMP技術(shù)。
意法半導(dǎo)體(ST)宣布將透過硅中介服務(wù)商CMP為研發(fā)組織提供意法半導(dǎo)體的THELMA微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)制程,大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室及設(shè)計(jì)公司可透過該制程設(shè)計(jì)芯片原型。
中國半導(dǎo)體CMP市場發(fā)展空間大 中國自2007年以來一直是最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國,但半導(dǎo)體產(chǎn)量卻不足國內(nèi)消耗量的10%。未來幾年,中國預(yù)計(jì)將投資數(shù)十
CMP 主要負(fù)責(zé)對晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個相互獨(dú)立的工藝流程:光刻、刻蝕、薄膜生長、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝,其中根據(jù)工藝
CMP是半導(dǎo)體制造中關(guān)鍵的平坦化工藝,它通過機(jī)械磨削和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的方式,去除材料以實(shí)現(xiàn)平坦化。然而,由于其復(fù)雜性,CMP工藝中可能會出現(xiàn)多種缺陷。這些缺陷通??梢苑譃闄C(jī)械、化學(xué)和表面特性相關(guān)的類別。
半導(dǎo)體元件若要追上摩爾定律速度,微縮制程就需要更新的技術(shù)相挺?;瘜W(xué)材料與電子產(chǎn)品間的關(guān)系密不可分,美商陶氏 化學(xué)旗下分公司陶氏電子材料的最新制程
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/劉靜)近日,北京晶亦精微科技股份有限公司(以下簡稱:晶亦精微)科創(chuàng)板IPO獲上交所受理,保薦機(jī)構(gòu)為中信證券。 晶亦精微成立于2019年,前身為四十五所CMP事業(yè)部,四十五所
CAT6201 | CAV25080 | C1005X7R1H104M050BB | C3225X7R1A226M |
CAT25010 | CAT6095 | CM1693 | CDCE937 |
CM1293A-04SO | CDCLVC1310 | cr2032 | CM1213 |
C1005X7R1E223K050BB | CSD85302L | CAT1026 | CAT93C86B |
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