
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-223-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 120 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 25 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.9 V
Qg-柵極電荷: 4.4 nC
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Reel
通道模式: Enhancement
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 110 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 0.06 S
最小工作溫度: - 55 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
上升時(shí)間: 14.4 ns
系列: BSP125
工廠包裝數(shù)量: 1000
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 20 ns
典型接通延遲時(shí)間: 7.7 ns
零件號(hào)別名: BSP125 H6327 SP001058576
單位重量: 250.200 mg
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