
該AT45DB021D是2.7V ,串行接口閃存非常適合寬各種數(shù)字支持語音,圖像 - ,程序代碼和數(shù)據(jù)存儲應用。
AT45DB021D支持要求非常高的應用急流串行接口速度操作。急流串行接口SPI的頻率兼容多達66兆赫。其2162688位存儲器組織為1024頁,每頁256字節(jié)或264每個字節(jié)。除了在主存儲器中, AT45DB021D還包含一個
的二百六十四分之二百五十六字節(jié)的SRAM緩存。 EEPROM仿真(位或字節(jié)變性)是很容易帶有自包含三個步驟的讀 - 修改 - 寫操作進行處理。不像conven-了與多個地址線和一個隨機訪問tional閃存并行接口時,數(shù)據(jù)閃存?采用了急流串行接口依次訪問其數(shù)據(jù)。簡單的順序訪問極大地降低了活動的引腳數(shù),有利于硬件布局,提高了系統(tǒng)的可靠性,最大限度地降低開關噪聲,并降低了封裝尺寸。
特點
2.7V至3.6V單電源
急流串行接口: 66 MHz最大時鐘頻率
- 兼容SPI模式0和3
用戶可配置的頁面大小
- 每頁256字節(jié)
- 每頁264字節(jié)
- 頁面大小可在工廠預先配置為256字節(jié)
頁編程操作
- 智能編程操作
- 1024頁(二百六十四分之二百五十六字節(jié)/頁)主內(nèi)存
靈活的擦除選項
- 頁擦除( 256字節(jié))
- 塊擦除( 2字節(jié))
- 擦除扇區(qū)(32字節(jié))
- 芯片擦除( 2兆)
一個SRAM數(shù)據(jù)緩沖區(qū)( 264分之256字節(jié))
通過整個陣列連續(xù)讀取功能
- 理想的代碼映射應用程序
低功耗
- 7毫安有效的讀電流典型
- 25 μA待機電流典型
- 15 μA深度掉電典型
硬件和軟件數(shù)據(jù)保護功能
- 個別部門
部門鎖定的安全代碼和數(shù)據(jù)存儲
- 個別部門
安全性: 128字節(jié)安全寄存器
- 64字節(jié)的用戶可編程空間
- 唯一的64字節(jié)的設備標識符
JEDEC標準制造商和設備ID讀
100000編程/擦除周期每頁最低
數(shù)據(jù)保留 - 20歲
工業(yè)溫度范圍
綠色(無鉛/無鹵化物/ RoHS標準)的包裝選項
AT45DB021D-SH-T 封裝圖
AT45DB021D-SH-T 封裝圖
AT45DB021D-SH-T 封裝圖
AT45DB021D-SH-T 引腳圖
AT45DB021D-SH-T電路圖
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