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    首頁產(chǎn)品索引AT45DB011D-SH

    AT45DB011D-SH

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    AT45DB011D是2.7V ,串行接口閃存非常適合寬各種數(shù)字支持語音,圖像 - ,程序代碼和數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用。

     

    產(chǎn)品信息

      該AT45DB011D是2.7V ,串行接口閃存非常適合寬各種數(shù)字支持語音,圖像 - ,程序代碼和數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用。

      AT45DB011D支持要求非常高的應(yīng)用急流串行接口速度操作。急流串行接口SPI的頻率兼容多達66兆赫。其1081344位存儲器組織為512頁,每頁256字節(jié)或264每個字節(jié)。除了在主存儲器中, AT45DB011D還包含一個的二百六十四分之二百五十六字節(jié)的SRAM緩存。 EEPROM仿真(位或字節(jié)變性)是很容易帶有自包含三個步驟的讀 - 修改 - 寫操作進行處理。不像conven-了與多個地址線和一個隨機訪問tional閃存并行接口時,數(shù)據(jù)閃存?

      采用了急流串行接口依次訪問其數(shù)據(jù)。簡單的順序訪問極大地降低了活動的引腳數(shù),有利于硬件布局,提高了系統(tǒng)的可靠性,最大限度地降低開關(guān)噪聲,并降低了封裝尺寸。

      特點

      2.7V至3.6V單電源

      急流串行接口: 66 MHz最大時鐘頻率

      - 兼容SPI模式0和3

      用戶可配置的頁面大小

      - 每頁256字節(jié)

      - 每頁264字節(jié)

      - 頁面大小可在工廠預(yù)先配置為256字節(jié)

      頁編程操作

      - 智能編程操作

      - 512頁(二百六十四分之二百五十六字節(jié)/頁)主內(nèi)存

      靈活的擦除選項

      - 頁擦除( 256字節(jié))

      - 塊擦除( 2字節(jié))

      - 擦除扇區(qū)(32字節(jié))

      - 芯片擦除( 1兆位)

      一個SRAM數(shù)據(jù)緩沖區(qū)( 264分之256字節(jié))

      通過整個陣列連續(xù)讀取功能

      - 理想的代碼映射應(yīng)用程序

      低功耗

      - 7毫安有效的讀電流典型

      - 25 μA待機電流典型

      - 5 μA深度掉電典型

      硬件和軟件數(shù)據(jù)保護功能

      - 個別部門

      部門鎖定的安全代碼和數(shù)據(jù)存儲

      - 個別部門

      安全性: 128字節(jié)安全寄存器

      - 64字節(jié)的用戶可編程空間

      - 唯一的64字節(jié)的設(shè)備標識符

      JEDEC標準制造商和設(shè)備ID讀

      100000編程/擦除周期每頁最低

      數(shù)據(jù)保留 - 20歲

      工業(yè)溫度范圍

      綠色(無鉛/無鹵化物/ RoHS標準)的包裝選項


    電路圖、引腳圖和封裝圖

    應(yīng)用案例更多案例

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