
概述
該電壓源ADR43x系列是一個家庭的XFET基準(zhǔn)電壓源具有低噪聲,高精度和低溫度漂移性能。利用ADI公司擁有專利權(quán)的溫度漂移曲率校正和XFET (額外注入結(jié)型場效應(yīng)管)技術(shù),該電壓源ADR43x的電壓變化與溫度的非線性是最小化。
該XFET引用在較低的功耗(800 μA )和操作電源裕量( 2 V ),比埋齊納參考。 Buried-齊納參考需要5 V以上的裕量進行操作。該電壓源ADR43x XFET基準(zhǔn)是唯一的低噪聲解決方案5 V系統(tǒng)。
該電壓源ADR43x系列有能力提供高達30毫安和吸收高達20 mA的輸出電流。它還配備了一個TRIM終端來調(diào)整輸出電壓在0.5%范圍內(nèi)而不會影響性能。該電壓源ADR43x可用在8引腳的迷你型SOIC和8引腳SOIC封裝。
特點
1.低噪聲( 0.1 Hz至10 Hz ) : 3.5 μV峰峰值@ 2.5 V輸出
2.無需外部電容
3.低溫COEF網(wǎng)絡(luò)cient
A級: 10 PPM / ° C最大值
B級:為3 ppm / ° C最大值
4.負載調(diào)整率: 15 PPM / MA
5.線路調(diào)整率: 20 PPM / V
6.寬工作范圍
ADR430 : 4.1 V至18 V
ADR431 : 4.5 V至18 V
ADR433 : 5.0 V至18 V
ADR434 : 6.1 V至18 V
ADR435 : 7.0 V至18 V
ADR439 : 6.5 V至18 V
7.高輸出電流: 30毫安/ -20毫安
8.使用溫度范圍廣:?40°C至+ 125°C
ADR435BRZ電路圖
ADR435BRZ 引腳圖
ADR435BRZ 引腳圖
ADR435BRZ 封裝圖
ADR435BRZ 封裝圖
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450均為低成本、低功耗、高精度基準(zhǔn)電壓源,具有± 0.1%的初始精度、低工作電流和低輸出噪聲特性,采用SOT23小型封裝。
ADR42x系列為超精密、第二代外加離子注入場效應(yīng)管(XFET)基準(zhǔn)電壓源,具有低噪聲、高精度和出色的長期穩(wěn)定特性,采用SOIC和MSOP封裝。 利用溫度漂移曲率校正專利技術(shù)和XFET技術(shù),可以
有些車型使用了大馬力來刺激駕駛者的感官,也有一些車型選擇打造舒適的環(huán)境來博得消費者的青睞,不過今天的主角兒既沒有大排量的發(fā)動機,也沒有豪華的配置和車內(nèi)環(huán)境,它有的就是教會我們?nèi)绾螑凵稀笆Э亍薄?/p>
搭建AT32開發(fā)環(huán)境一、調(diào)試工具及開發(fā)板目前AT32F435/F437開發(fā)板都自帶AT-Link-EZ調(diào)試工具,AT-Link-EZ如下圖左邊紅框所示,它也可拆開后單獨搭配其他電路板使用,支持IDE在線調(diào)試、在線燒錄、USB轉(zhuǎn)串口等功能。圖1.AT-
低功耗、低噪聲、全差分放大器 ADA4940-1 驅(qū)動差分輸入、18位、1 MSPS PulSAR? ADC AD7982,同時低噪聲精密5 V基準(zhǔn)電壓源 ADR435 用來提供 ADC 所需的5 V電源。
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驍龍435八核處理器是一款中高性能的手機處理器,400系列中首款集成 X8 LTE 及支持 Cat 6 的處理器高通驍龍625處理器,采用A53八核心設(shè)計,其單核頻率最高可達2.0GHz,14nm FinFET制程,而GPU部分則是Adreno 506。
基于N32G435的高負載串口通信
ADA4627-1 | ADUC842 | AD5424 | ATMEGA8535-16AU |
at45db011 | at91sam9263 | ADG633 | AD8155 |
ADSP-BF702 | ADS1257 | AD7650 | ADSP-21479 |
ADM3493 | ADM3053 | AD73360 | ADP1052 |
ADV7511 | AD7150 | ADF4360-2 | ADCLK914 |