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    ADR435BRZ

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    超低噪聲XFET基準(zhǔn)電壓與電流庫和源能力。

     

    產(chǎn)品信息

      概述

      該電壓源ADR43x系列是一個家庭的XFET基準(zhǔn)電壓源具有低噪聲,高精度和低溫度漂移性能。利用ADI公司擁有專利權(quán)的溫度漂移曲率校正和XFET (額外注入結(jié)型場效應(yīng)管)技術(shù),該電壓源ADR43x的電壓變化與溫度的非線性是最小化。

      該XFET引用在較低的功耗(800 μA )和操作電源裕量( 2 V ),比埋齊納參考。 Buried-齊納參考需要5 V以上的裕量進行操作。該電壓源ADR43x XFET基準(zhǔn)是唯一的低噪聲解決方案5 V系統(tǒng)。

      該電壓源ADR43x系列有能力提供高達30毫安和吸收高達20 mA的輸出電流。它還配備了一個TRIM終端來調(diào)整輸出電壓在0.5%范圍內(nèi)而不會影響性能。該電壓源ADR43x可用在8引腳的迷你型SOIC和8引腳SOIC封裝。

      特點

      1.低噪聲( 0.1 Hz至10 Hz ) : 3.5 μV峰峰值@ 2.5 V輸出

      2.無需外部電容

      3.低溫COEF網(wǎng)絡(luò)cient

      A級: 10 PPM / ° C最大值

      B級:為3 ppm / ° C最大值

      4.負載調(diào)整率: 15 PPM / MA

      5.線路調(diào)整率: 20 PPM / V

      6.寬工作范圍

      ADR430 : 4.1 V至18 V

      ADR431 : 4.5 V至18 V

      ADR433 : 5.0 V至18 V

      ADR434 : 6.1 V至18 V

      ADR435 : 7.0 V至18 V

      ADR439 : 6.5 V至18 V

      7.高輸出電流: 30毫安/ -20毫安

      8.使用溫度范圍廣:?40°C至+ 125°C


    電路圖、引腳圖和封裝圖

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