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制造商：ADI/AD
優(yōu)勢和特點
低噪聲（0.1 Hz至10.0 Hz）：3.5 μV p-p（2.5 V輸出）
無需外部電容
低溫度系數(shù)
A級：10 ppm/°C（最大值）
B級：3 ppm/°C（最大值）
負(fù)載調(diào)整率：15 ppm/mA
電壓調(diào)整率：20 ppm/V
寬工作溫度范圍：7.0 V至18 V
欲了解更多特性，請參考數(shù)據(jù)手冊
ADR435-EP支持防務(wù)和航空航天應(yīng)用（AQEC標(biāo)準(zhǔn)）
下載 ADR431-EP/ADR434-EP/ADR435-EP數(shù)據(jù)手冊(pdf)
軍用溫度范圍（?55℃至+125℃）
受控制造基線
唯一封裝/測試廠
唯一制造廠
增強(qiáng)型產(chǎn)品變更通知
認(rèn)證數(shù)據(jù)可應(yīng)要求提供
V62/11602 DSCC圖紙?zhí)?/p>
產(chǎn)品詳情
ADR43x是XFET系列基準(zhǔn)電壓源，具有低噪聲、高精度和低溫度漂移性能。利用ADI公司的溫度漂移曲率校正專利技術(shù)和XFET（外加離子注入場效應(yīng)管）技術(shù)，可以使ADR43x電壓隨溫度變化的非線性度降至最小。
與嵌入式齊納基準(zhǔn)電壓源相比，XFET基準(zhǔn)電壓源能以更低的功耗(800 μA)和更小的電源裕量(2 V)工作。嵌入式齊納基準(zhǔn)電壓源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR43x XFET基準(zhǔn)電壓源是唯一適合5 V系統(tǒng)的低噪聲解決方案。
ADR43x系列的源電流輸出最高達(dá)30 mA，最大吸電流能力為20 mA。它還具有調(diào)整引腳，可以在0.5%范圍內(nèi)調(diào)整輸出電壓，而性能則不受影響。
ADR43x提供8引腳MSOP和窄體SOIC兩種封裝。所有版本的額定工作范圍均為擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍?40°C至+125°C。
ADR435-EP支持軍工和航空航天應(yīng)用（AQEC標(biāo)準(zhǔn)）
應(yīng)用
精密數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
高分辨率數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器
醫(yī)療儀器
工業(yè)過程控制系統(tǒng)
光學(xué)控制電路
精密儀器
ADR435 封裝圖
| 型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
|---|---|---|---|
| ADR435TRZ-EP-R7 | - | - | 立即購買 |
| ADR435TRZ-EP | - | - | 立即購買 |
| ADR435BRZ-REEL7 | - | - | 立即購買 |
| ADR435BRZ | - | - | 立即購買 |
| ADR435BRMZ-R7 | - | - | 立即購買 |
| ADR435BRMZ | - | - | 立即購買 |
| 標(biāo)題 | 類型 | 大?。↘B） | 下載 |
|---|---|---|---|
| ADR431/ADR434/ADR435-DSCC: Military Data Sheet (Rev. A) | 68 | 點擊下載 | |
| AN-713: The Effect of Long-Term Drift on Voltage References (Rev. 0) | 237 | 點擊下載 |
杭州東沃電子（DOWOSEMI）專業(yè)供應(yīng)的ULQ2003ADR芯片，是一款高電壓、大電流達(dá)林頓晶體管陣列，由7個NPN達(dá)林頓對組成，具有高達(dá)500mA的灌電流能力和較寬的 GPIO 范圍能力。這些
杭州東沃電子（DOWOSEMI）專業(yè)供應(yīng)的ULQ2003ADR芯片，是一款高電壓、大電流達(dá)林頓晶體管陣列，由7個NPN達(dá)林頓對組成，具有高達(dá)500mA的灌電流能力和較寬的 GPIO 范圍能力。這些
ADA4940-1、差分輸入18位PulSAR ADC7982、 ADR435精密基準(zhǔn)電壓源，還可緩解模擬信號 通過消除對額外驅(qū)動器級的需求進(jìn)行調(diào)節(jié)并節(jié)省成本 電路板空間。?
杭州東沃電子（DOWOSEMI）專業(yè)供應(yīng)的ULQ2003ADR芯片，是一款高電壓、大電流達(dá)林頓晶體管陣列，由7個NPN達(dá)林頓對組成，具有高達(dá)500mA的灌電流能力和較寬的 GPIO 范圍能力。這些
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450均為低成本、低功耗、高精度基準(zhǔn)電壓源，具有± 0.1%的初始精度、低工作電流和低輸出噪聲特性，采用SOT23小型封裝。
ADR42x系列為超精密、第二代外加離子注入場效應(yīng)管(XFET)基準(zhǔn)電壓源，具有低噪聲、高精度和出色的長期穩(wěn)定特性，采用SOIC和MSOP封裝。 利用溫度漂移曲率校正專利技術(shù)和XFET技術(shù)，可以
Analog Devices Inc. ADR3625大電流輸出電壓基準(zhǔn)是低功耗、高精度元件，最大溫度系數(shù)為3ppm/°C（B級），采用8引線MSOP封裝。ADR3625能夠提供高達(dá)70 mA電流
紐約時間下午4:00收盤，標(biāo)普500指數(shù)下跌3.3%，報2785.68點。道瓊工業(yè)平均指數(shù)下跌3.2%，報25598.74點。那斯達(dá)克綜合指數(shù)下跌4.1%，報7422.05點。羅素2000指數(shù)下跌2. 9%，報1575.412點。有「恐慌指數(shù)」之稱的波動率指數(shù)大漲44%點至22.96，4...
| AD5162 | ADA4930-1YCPZ | ADIS16460 | AD5318 |
| ATSENSE101 | ADV7125 | AD7928 | AD8271 |
| AT93C46-10SI-2.7 | ADL5353 | ADSP-BF608 | AD9776A |
| ADG3304 | ADC104S021 | ADG428 | at28c256 |
| ADUM1281 | AD9857 | ADUM1251 | ADP194 |
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