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    首頁(yè)產(chǎn)品索引ADR434

    ADR434

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    超低噪聲、4.096V XFET?基準(zhǔn)電壓源,具有吸電流和源電流能力

    制造商:ADI/AD

    中文數(shù)據(jù)手冊(cè)

    產(chǎn)品信息

    優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

      低噪聲(0.1 Hz至10.0 Hz): 3.5 μV p-p(2.5 V輸出)

      無(wú)需外部電容

      低溫度系數(shù)A級(jí): 10 ppm/℃(最大值)B級(jí): 3 ppm/℃(最大值)

      負(fù)載調(diào)整率: 15 ppm/mA

      線性調(diào)整率: 20 ppm/V

      欲了解更多特性,請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)

    ADR434-EP支持防務(wù)和航空航天應(yīng)用(AQEC標(biāo)準(zhǔn))

      下載 ADR434-EP數(shù)據(jù)手冊(cè) (pdf)

      軍用溫度范圍(?55 ℃至+125 ℃)

      受控制造基線

      唯一封裝/測(cè)試廠

      唯一制造廠

      增強(qiáng)型產(chǎn)品變更通知

      認(rèn)證數(shù)據(jù)可應(yīng)要求提供

    產(chǎn)品詳情

    ADR43x是XFET系列基準(zhǔn)電壓源,具有低噪聲、高精度和低溫度漂移性能。利用ADI公司的溫度漂移曲率校正專利技術(shù)和XFET(外加離子注入場(chǎng)效應(yīng)管)技術(shù),可以使ADR43x電壓隨溫度變化的非線性度降至最小。

    與嵌入式齊納基準(zhǔn)電壓源相比,XFET基準(zhǔn)電壓源能以更低的功耗(800 μA)和更小的電源裕量(2 V)工作。嵌入式齊納基準(zhǔn)電壓源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR43x XFET基準(zhǔn)電壓源是唯一適合5 V系統(tǒng)的低噪聲解決方案。

    ADR43x系列的源電流輸出最高達(dá)30 mA,最大吸電流能力為20 mA。它還具有調(diào)整引腳,可以在0.5%范圍內(nèi)調(diào)整輸出電壓,而性能則不受影響。

    ADR43x提供8引腳MSOP和窄體SOIC兩種封裝。所有型號(hào)產(chǎn)品的額定溫度范圍均為?40°C至+125°C擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍。

    ADR434-EP支持軍工和航空航天應(yīng)用(AQEC標(biāo)準(zhǔn))

    應(yīng)用

      精密數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

      高分辨率數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器

      醫(yī)療儀器

      工業(yè)過(guò)程控制系統(tǒng)

      光學(xué)控制電

      精密儀器

    電路圖、引腳圖和封裝圖

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    技術(shù)資料

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    ADR431/ADR434/ADR435-DSCC: Military Data Sheet (Rev. A)PDF68 點(diǎn)擊下載
    AN-713: The Effect of Long-Term Drift on Voltage References (Rev. 0)PDF237 點(diǎn)擊下載
    UG-444:評(píng)估AD5750工業(yè)電流/電壓輸出驅(qū)動(dòng)器PDF399 點(diǎn)擊下載
    UG-444: Evaluating the AD5750 Industrial Current/Voltage Output DriverPDF399 點(diǎn)擊下載

    應(yīng)用案例更多案例

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