
制造商:ON
6N135光電耦合器包含一個砷化鋁鎵二極管,該二極管光耦合到一個高速光電晶體管探測器。
6N135為偏置二極管建立了單獨的連接,降低了輸入晶體管的基極-集電極容抗,使得6N135的速度比傳統(tǒng)光耦提高了數(shù)個數(shù)量級?! ?/p>
6N135帶有內(nèi)部噪音屏蔽,提供優(yōu)越的共模抑制,達到10kV/μs。改良的配套方案提供優(yōu)越的隔離性能,相比220V的工業(yè)標準,6N135的工作電壓高達480V。
HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光電耦合器包含耦合高速光電檢測器晶體管的AlGaAs LED。 通過降低輸入晶體管的基極-集電極電容,單獨連接實現(xiàn)光電二極管偏壓使速度比傳統(tǒng)光電晶體管光電耦合器提高數(shù)個級別。 HCPL4503M不會內(nèi)部連接到光電晶體管基極,有助于改善抗噪能力,內(nèi)部噪聲屏蔽提供一流的共模抑制性能,高達50,000V/μs。
超高速 – 1 MBit/s
一流CMR – 10 kV/μs
雙通道HCPL2530M HCPL2531M(初始版)
CTR保證 0–70°C
U.L. 認證(文件編號 E90700,卷 2)
VDE認證(待定)–訂購選件“V”,例如6N135VM
5,000Vrms(1分鐘)隔離電壓
一流CMR,15,000V/μs min. (HCPL4503M)
無基極連接,以改善抗噪能力(HCPL4502M、HCPL4503M)
6N135M電路圖
6N135M 引腳圖
6N135M 封裝圖
6N135M 封裝圖
6N135M 封裝圖
型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
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6N135M | - | - | 立即購買 |
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標題 | 類型 | 大小(KB) | 下載 |
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8 LEAD PDIP | 34 | 點擊下載 | |
PDIP8 GW | 62 | 點擊下載 | |
UL:E90700_2 | 1257 | 點擊下載 | |
SC_CQC14001116479.pdf | 181 | 點擊下載 | |
VDE:40018398 | 742 | 點擊下載 |
M135外圓磨床屬于較大型的萬能外圓磨床,適用于磨削圓柱、圓錐零件和端面,也可自磨頂尖,可獲得較好表面粗糙度和加工精度,具有使用范圍寬、加工精度較好和表面粗糙度較好等特點。
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光耦合器也稱為光隔離器,通過在輸入和輸出電路之間提供電氣隔離,在電子電路中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。業(yè)界常用的兩種光耦合器6N136和6N137。本文深入研究了這些組件的技術(shù)方面,重點介紹了它們的主要差異和應用。
STM32MP135核心板開發(fā)板-入門級MPU設(shè)計平臺 基于STM32MP135新一代通用工業(yè)級MPU,單核Cortex-A7@1.0GHz,具有極高的性價比; 支持2個千兆以太網(wǎng)接口、 2個CAN
近日,東芝新推出了一款額定值為1350V/30A的分立IGBT——GT30N135SRA,擴充了其IGBT產(chǎn)品陣容。新產(chǎn)品主要適用于采用AC200V輸入電壓諧振電路的家用電器,例如IH電磁爐、IH
2017年12月12日,360手機正式發(fā)布N6 Pro之后N6系列的另外兩款機型,分別是N6以及N6 Lite。有“大視野、大續(xù)航、高性能、高顏值”的N6 Pro之后,360手機又為我們帶來什么樣的驚喜呢?下面請看鋒潮科技為您帶來的第一手上手圖賞。
6n3+6n6耳機放大器,6n3+6n6 Headphone Amplifier 關(guān)鍵字:電子管耳機放大器,耳放,耳放電路,耳機放大器電路,耳機放大器制作,HIFI
6B50 | 68710814022 | 6B50 | 6N135M |
6BP16 | 6B11 | 6BP01 | 637113 |
66AK2H12 | 6BP04 | 6B12 | 6BP04 |
6N136M | 66598-2 | 6N137M | 6BP16 |
6N138M | 611-BTND640F | 6B13 | 6B12 |