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    首頁產(chǎn)品索引2N7002

    2N7002

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    ?N溝道增強模型場效應(yīng)晶體管 DS=60V VGS=±20V ID=115mA P=225mW

    制造商:ON

    中文數(shù)據(jù)手冊

    產(chǎn)品信息

    優(yōu)勢特點

    該N溝道增強模式場效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的高單元密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這款產(chǎn)品旨在最大限度地降低導(dǎo)通阻抗,同時提供穩(wěn)固、可靠、快速的開關(guān)性能。 可用于大部分需要高達(dá)400mA直流電流的應(yīng)用,并且能夠提供高達(dá)2A的脈沖電流。 這款產(chǎn)品特別適合低壓、低電流應(yīng)用(如小型伺服電機控制、功率MOSFET柵極驅(qū)動器)以及其他開關(guān)應(yīng)用中。

    • 高密度單元設(shè)計可實現(xiàn)極低的 R

    • 電壓控制的小型信號開關(guān)。

    • 堅固而可靠。

    • 高飽和電流能力。


    規(guī)格參數(shù)

    產(chǎn)品分類

    場效應(yīng)管(MOS管)

    三極管及MOS管



    FET配置(電路類型)

    N溝道


    漏源擊穿電壓V(BR)dss

    60V


    漏極電流(Id, 連續(xù))

    115mA(Ta)


    導(dǎo)通電阻 Rds(on)

    7歐姆


    閾值電壓Vgs(th)

    2.5V@250μA


    最大耗散功率

    225mW


    封裝/外殼

    SOT-23-3(SC-59,TO-236-3)



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    型號制造商描述購買
    2N7002TK類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):60V 連續(xù)漏極電流(Id):115mA 功率(Pd):225mW 立即購買
    2N7002MDD類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):60V 連續(xù)漏極電流(Id):500mA 功率(Pd):300mW 立即購買
    2N7002SKN溝道 漏源電壓(Vdss):60V 連續(xù)漏極電流(Id):0.43A 功率(Pd):0.83W 立即購買
    2N7002HottechMOSFETs N-Channel Vdss:60V Id:115mA Pd:225mW SOT23 立即購買
    2n7002JCETMOSFETs N-Channel Vdss=60V Id=115mA Pd=225mW SOT23-3 立即購買
    2N7002NXPN溝道 60V 0.115A 立即購買

    技術(shù)資料

    標(biāo)題類型大?。↘B)下載
    SOT-23PDF32 點擊下載
    N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPDF757 點擊下載
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool? MOSFETsPDF501 點擊下載
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT?-6 Power MOSFETsPDF319 點擊下載
    Shielded Gate PowerTrench? MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 點擊下載
    FAN9611 / FAN9612 400W 1-Layer Evaluation Board User Guide (FEB301)PDF2048 點擊下載
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 點擊下載
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 點擊下載

    應(yīng)用案例更多案例

    系列產(chǎn)品索引查看所有產(chǎn)品

    2N61112205303123K640-I/ST2N6288
    2N605224AA256UID2N700224AA256
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