
The Microchip Technology Inc. 23X256 are 256 KbitSerial SRAM devices. The memory is accessed via asimple Serial Peripheral Interface (SPI) compatibleserial bus. The bus signals required are a clock input(SCK) plus separate data in (SI) and data out (SO)lines. Access to the device is controlled through a ChipSelect (CS) input.Communication to the device can be paused via thehold pin (HOLD). While the device is paused,transitions on its inputs will be ignored, with theexception of Chip Select, allowing the host to servicehigher priority interrupts.The 23X256 is available in standard packagesincluding 8-lead PDIP and SOIC, and advancedpackaging including 8-lead TSSOP.
Max. Clock 20 MHz
Low-Power CMOS Technology:?????-? Read Current: 3 mA at 1 MHz?????-? Standby Current: 4 μA Max. at 3.6V
32,768 x 8-bit Organization
32-Byte Page
HOLD pin
Flexible Operating modes:?????-? Byte read and write?????-? Page mode (32 Byte Page)?????-? Sequential mode
Sequential Read/Write
23K256 封裝圖
23K256 封裝圖
23K256 封裝圖
23K256 封裝圖
23K256 封裝圖
23K256 封裝圖
23K256 封裝圖
23K256 封裝圖
23K256 封裝圖
型號(hào) | 制造商 | 描述 | 購(gòu)買 |
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23K256T-E/SN | - | - | 立即購(gòu)買 |
23K256-E/SN | CYP | IC CLK ZDB 12OUT 125MHZ 52TQFP | 立即購(gòu)買 |
23K256T-I/SN | TI | CDCVF2510 適用于 DRAM 應(yīng)用且具有 10 個(gè)輸出的 3.3V 鎖相環(huán)路時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器 | 立即購(gòu)買 |
23K256-I/ST | - | - | 立即購(gòu)買 |
23K256T-E/ST | Maxim | Delay Line IC Nonprogrammable 10 Tap 300ns 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | 立即購(gòu)買 |
23K256-E/ST | ON | NECL/PECL 輸入轉(zhuǎn)換。延遲部分由一個(gè)可編程的門(mén)極和多路復(fù)用器矩陣組成(如數(shù)據(jù)表邏輯圖所示)。EP195 延遲增量的可數(shù)字選擇分辨率約為 10 ps,最高 10.2 ns。10 個(gè)數(shù)據(jù)選擇輸入 D(0:9) 由鎖存啟用 (LEN) 控制上的高電平信號(hào)鎖存在芯片上,通過(guò)這些數(shù)據(jù)選擇輸入 D 即可選擇所需的延遲。MC10/100EP195 是一款可編程延遲芯片 (PDC),主要用于時(shí)鐘去擺和計(jì)時(shí)調(diào)節(jié)。它具有一個(gè)差分可變延遲。與 D0 (LSB) 到 D9 (MSB) 相關(guān)的可變抽頭數(shù)對(duì)應(yīng)的大致延遲值如數(shù)據(jù)表所示。由于 EP195 設(shè)計(jì)為使用多路復(fù)用器鏈條,因此它具有 2.2 ns 的固定最小延遲。提供一個(gè)附加引腳 D10,用于級(jí)聯(lián)多個(gè) PDC,從而擴(kuò)大可編程范圍。級(jí)聯(lián)邏輯允許完全控制多個(gè) PDC。通過(guò) CMOS、ECL 或 TTL 電平信號(hào)的 VEF(引腳 7)和 VCF(引腳 8)之間的互聯(lián)組合,可對(duì)選擇輸入引腳 D0-D10 的閾值進(jìn)行控制。對(duì)于 CMOS 輸入電平,請(qǐng)將 VCF 和 VEF 保持開(kāi)路。對(duì)于 ECL 運(yùn)行,請(qǐng)將 VCF 和 VEF (引腳 7 和 8)保持短路。對(duì)于 TTL 電平運(yùn)行,請(qǐng)將一個(gè) 1.5 V 參考電源連接至 VCF,并將 VEF 引腳保持開(kāi)路??稍?VCF 和 VEE 之間放置 1.5 kΩ 或 500 Ω 電阻,分別用于 3.3 V 或 5.0 V 電源,從而讓 VCF 引腳的參考電壓達(dá)到 1.5 V。VBB 引腳作為內(nèi)部產(chǎn)生的電源,僅可用于該器件。對(duì)于單端輸入情況,將未使用的差分輸入連接至 VBB,作為開(kāi)關(guān)參考電壓。VBB 還可重新偏置交流耦合輸入。使用時(shí),通過(guò) 0.01 F 電容器對(duì) VBB 和 VCC 進(jìn)行去耦合,并將源/汲電流限制為 0.5 mA。 | 立即購(gòu)買 |
具有4096K位低功耗和單電壓讀寫(xiě)操作。23AA04M和23LCV04M支持串行雙接口 (SDI) 和串行四路接口 (SQI),可實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)速率和143MHz高速時(shí)鐘頻率。SRAM具有內(nèi)置糾錯(cuò)碼
) 邏輯,可確保高可靠性。Microchip Technology 23AA02M和23LCV02M 2Mb SPI/SDI/SQI SRAM提供256 x 8位組織,具有字節(jié)、頁(yè)面和順序讀寫(xiě)模式。該SRAM具有無(wú)限讀取和寫(xiě)入周期,并支持外部電池備份。這些器件不含鹵素,符合RoHS指令。
+是6999(8GB+256GB)起;S23 Ultra是8999(8GB+256GB)起。 Galaxy S23系列在外觀造型取消了后置模組的模塊化,顯得更加簡(jiǎn)潔,并且此次在機(jī)身材質(zhì)上三款機(jī)型都采用
N531 Z K/中科 SOT23-5 電磁爐驅(qū)動(dòng)IC是一款專為電磁爐設(shè)計(jì)的集成電路,具有高效、穩(wěn)定、可靠的特點(diǎn)。該驅(qū)動(dòng)IC采用了中科公司先進(jìn)的制程技術(shù),結(jié)合SOT23-5封裝形式,使得其在電磁爐
具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列),內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC
據(jù)悉,近日三星在其京東自營(yíng)旗艦店啟動(dòng)了618提前購(gòu)活動(dòng),Galaxy S23 Ultra 手機(jī) 12GB+256GB版本價(jià)格大幅降低至5699元,相比原價(jià)優(yōu)惠高達(dá)4000元。
MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM 芯片 DDR3L SDRAM 4G-Bit 256M x 16 1.35V 96-Pin F-BGA
HS23P6622LR新品介紹 HS23P6622LR?是一款集成了5?通道有效精度18?位的?Δ ADC?的8?位MCU。MCU?資源豐富,包括2K?字的ROM,256 byte?的RAM,及各種
2SC5226A | 2SC3646 | 2N6107 | 2SC3648 |
2N4921 | 24LC024 | 2N6038 | 24AA02E64 |
24AA014H | 24LC01B | 25LC160C | 2N6292 |
24LC025 | 2N4403 | 24AA025E48 | 2SB1202 |
25AA160A | 2N6661 | 24LC256 | 24LC014 |