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    OrangeDrop?電容器

    OrangeDrop?電容器

    Cornell Dubilier的聚酯和聚丙烯薄膜/箔電容器(Orange Drop? Capacitors)

    發(fā)布時(shí)間:2018-06-14

    Cornell Dubilier的 Orange Drop電容器采用薄膜電介質(zhì)和金屬化或箔電極制成,因其在脈沖直流和交流電路中的出色性能而聞名。Orange Drop系列包含大約20個(gè)系列,每個(gè)系列都有其獨(dú)特的設(shè)計(jì),涵蓋各種交流和直流應(yīng)用,從開關(guān)模式電源中的濾波器帽到保護(hù)大功率逆變器中IGBT的緩沖器。

    Orange Drop電容器的電壓范圍為0.22 nF至10μF,電壓范圍為100 V DC  至2000 V DC,是安裝在印刷電路板上的徑向引線型電容器。Orange Drop電容器這個(gè)術(shù)語(yǔ)最初是由Sprague Capacitor公司于20世紀(jì)60年代創(chuàng)造的,因其明亮的橙色環(huán)氧保形涂層而得名。


    OrangeDrop?電容器特性

    225P系列

    • 徑向引線,壓制型材

    • 無(wú)感損傷,延長(zhǎng)

    • 鋁箔結(jié)構(gòu)

    • 超過(guò)35年的可靠性證明

    715P系列

    • 久經(jīng)考驗(yàn)的可靠性

    • 低損耗因數(shù)

    • 公差接近±1%

    • 穩(wěn)定性極佳,幾乎呈線性

    • 提供各種引線間距,壓接類型和引線長(zhǎng)度


    OrangeDrop?電容器應(yīng)用

    225P系列

    1. 商業(yè)和工業(yè)電子應(yīng)用

    2. 電源

    3. 儀表

    4. 音頻放大器

    5. 測(cè)驗(yàn)設(shè)備

    715P系列

    1. 高頻,高脈沖電流應(yīng)用


    Orange Drop 225P Series
    圖片數(shù)據(jù)手冊(cè)產(chǎn)品型號(hào)產(chǎn)品分類產(chǎn)品描述價(jià)格操作
    225P10291WD3薄膜電容-電容器薄膜電容 徑向 1nF ±10% 17.78 x 6.40mm在線訂購(gòu)
    225P10391WD3薄膜電容-電容器薄膜電容 徑向 10nF ±10% 17.80 x 6.40mm在線訂購(gòu)
    225P33391WD3薄膜電容-電容器薄膜電容 徑向 33nF ±10% 17.80 x 6.90mm在線訂購(gòu)
    225P47392XD3薄膜電容-電容器薄膜電容 徑向 47nF ±10% 20.30 x 7.10mm¥25.34972在線訂購(gòu)
    225P47492YD3薄膜電容-電容器薄膜電容 徑向 470nF ±10% 31.75 x 12.70mm¥53.79739在線訂購(gòu)
    Orange Drop 715P Series
    圖片數(shù)據(jù)手冊(cè)產(chǎn)品型號(hào)產(chǎn)品分類產(chǎn)品描述價(jià)格操作
    715P10456LD3聚丙烯膜電容器-電容器薄膜電容 徑向 100nF ±5% Ф18.00 x 31.80mm¥43.40739在線訂購(gòu)
    715P22352JD3聚丙烯膜電容器-電容器薄膜電容 徑向 22nF ±5% Ф7.90 x 17.80mm在線訂購(gòu)
    715P10352JD3聚丙烯膜電容器-電容器薄膜電容 徑向 10nF ±5% Ф6.40 x 17.80mm¥28.80019在線訂購(gòu)
    715P15352JD3聚丙烯膜電容器-電容器薄膜電容 徑向 15nF ±5% Ф7.10 x 17.80mm¥38.16880在線訂購(gòu)
    715P10256JD3聚丙烯膜電容器-電容器薄膜電容 徑向 1nF ±5% Ф8.90 x 17.80mm¥30.14254在線訂購(gòu)

    應(yīng)用案例

    • 資訊操作參數(shù)對(duì)蝕刻速率和均勻性的影響2022-04-08

      本研究的目的是開發(fā)和應(yīng)用一個(gè)數(shù)值模型來(lái)幫助設(shè)計(jì)和操作CDE工具,為此,我們編制了第一個(gè)已知的NF3/02氣體的等離子體動(dòng)力學(xué)模型,通過(guò)與實(shí)驗(yàn)蝕刻速率數(shù)據(jù)的比較,實(shí)現(xiàn)了模型驗(yàn)證。此外,該模型通過(guò)改變總流量、壓力、等離子體功率、氧流量和輸運(yùn)管直徑來(lái)確定CDE系統(tǒng)的可運(yùn)行特性,蝕刻速率和不均勻性與各種輸入和計(jì)算參數(shù)的相關(guān)性突出了系統(tǒng)壓力、流量和原子氟濃度對(duì)系統(tǒng)性能的重要性。

    • 資訊STM32F103CDE數(shù)據(jù)手冊(cè)2016-12-11

      STM32F103CDE數(shù)據(jù)手冊(cè)Rev1(2008年4月,中文)

    • 資訊STM32F10xxCDE勘誤2016-12-11

      STM32F10xxCDE勘誤,有需要的下來(lái)看看

    • 資訊CDE鋁質(zhì)電解質(zhì)電容器的可靠性2011-11-29

      本文我們以一種希望能夠澄清二者區(qū)別的方式來(lái)定義壽命和可靠性;以一種允許設(shè)計(jì)工程師從他們運(yùn)用條件,不僅預(yù)測(cè)電容器在開始損耗之前能工作多久,而且預(yù)測(cè)電容器有效壽命中的

    • 資訊美國(guó)CDE電容模塊在緩沖電路中的應(yīng)用2009-07-10

      美國(guó)CDE電容模塊在緩沖電路中的應(yīng)用 1引言 眾所周知,在電力電子器件的應(yīng)用電路中,無(wú)一例外地都要設(shè)置緩沖電路

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