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    主頁所有制造商Alliance Memory高速 DDR3 和 DDR3L SDRAM

    高速 DDR3 和 DDR3L SDRAM

    高速 DDR3 和 DDR3L SDRAM

    Alliance Memory 推出具有最小芯片微縮的 DDR3 和 DDR3L SDRAM(High-Speed DDR3 and DDR3L SDRAMs)

    發(fā)布時間:2018-06-14

    Alliance Memory 的高速 CMOS、雙數(shù)據(jù)速率 3 同步 DRAM (DDR3 SDRAM) 和低電壓、DDR3L SDRAM 產(chǎn)品線的容量為 1 GB、2 GB、4 GB 和 8G,采用 78 焊球、9 mm x 10.5 mm x 1.2 mm 和 96 焊球、9 mm x 13 mm x 1.2 mm FBGA 封裝。DDR3 (1.5 V) 和 DDR3L (1.35 V) 具有最小的芯片微縮,對于大量搭配新一代微控制器使用的類似解決方案來說,無疑是可靠的插入式、引腳對引腳兼容型替代品,無需進行成本高昂的再設計和零件認證。

    溫度范圍

    • 商業(yè)級(擴展):0°C 至 +95°C

    • 工業(yè)級:-40°C 至 95°C

    • 汽車級:-40°C 至 +105°C


    高速 DDR3 和 DDR3L SDRAM特性

    • 內(nèi)部配置為 64 M、128 M、256 M、512 M、1 G x 8 位和/或 16 位存儲體,且每種容量均為八個存儲體

    • 電源:

      • +1.5 V (±0.075 V)(AS4C64M16D3、AS4C128M8D3、AS4C128M16D3、AS4C256M8D3、AS4C256M16D3 和 AS4C512M8D3 DDR3 SDRAM)

      • +1.35 V(AS4C64M16D3L、AS4C128M8D3L、AS4C128M16D3L、AS4C256M8D3L、AS4C256M16D3L、AS4C512M8D3L、AS4C512M16D3L 和 AS4C1G8MD3L DDR3L SDRAM)

    • 采用 78 焊球和 96 焊球 FBGA 封裝

    • 雙數(shù)據(jù)速率 3 架構(gòu),可實現(xiàn)極快的每引腳 1600 Mbps 數(shù)據(jù)速率和 800 MHz 時鐘速率

    • 增強型、協(xié)作、共存算法

    • 支持商業(yè)級(擴展)溫度范圍 0°C 至 +95°C 和工業(yè)級 -40°C 至 +95°C 溫度范圍

    • 完全同步工作

    • 可編程讀或?qū)戔Оl(fā)長度為 4 或 8

    • 自動預充電功能可在猝發(fā)序列結(jié)束時啟動自定時的行預充電

    • 易于使用的刷新功能包括自動刷新或自主刷新

    • 符合 RoHS 規(guī)范

    • 無鉛 (Pb)、無鹵素

    • 可編程模式寄存器允許系統(tǒng)選擇最適合的模式,從而最大限度提升性能

    高速 DDR3 和 DDR3L SDRAM應用

    1. 工業(yè)

    2. 消費

    3. 電信產(chǎn)品

    DDR3 and DDR3L SDRAMs
    圖片數(shù)據(jù)手冊產(chǎn)品型號產(chǎn)品分類產(chǎn)品描述價格操作
    AS4C1G8MD3L-12BCNSRAM存儲器-存儲器在線訂購
    AS4C512M16D3L-12BINMRAM磁性隨機存儲器-存儲器IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA在線訂購
    AS4C128M16D3LA-12BINMRAM磁性隨機存儲器-存儲器IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA在線訂購
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    AS4C256M16D3LA-12BCNMRAM磁性隨機存儲器-存儲器IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA在線訂購
    AS4C256M16D3L-12BCNMRAM磁性隨機存儲器-存儲器IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA在線訂購

    應用案例

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