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AS6C3216 高密度、低功耗 32 M CMOS SRAM
Alliance Memory 提供其 32 M（2 M x 16 / 4 M x 8 可切換式）AS6C3216 IC 高密度、低功耗 CMOS SRAM（AS6C3216 High-Density, Low-Power 32 M CMOS SRAM）
發(fā)布時間：2018-06-14
Alliance Memory 的 AS6C3216 是一款 33,554,432 位的低功耗 CMOS 靜態(tài)隨機存取存儲器，存儲空間為 2,097,152 字 x 16 位或 4,194,304 字 x 8 位。該器件采用高性能、高可靠性 CMOS 技術制造。其待機電流在工作溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定。AS6C3216 非常適合低功耗應用，尤其是適合采用電池后備電源的非易失性存儲器應用。AS6C3216 工作時采用 2.7 V ~ 3.6 V 的單電源供電，且所有輸入和輸出都均完全兼容 TTL。
AS6C3216 高密度、低功耗 32 M CMOS SRAM特性
使用 2.7 V 至 3.6 V 單電源供電
55 ns 快速訪問時間
低功耗，典型工作電流為 45 mA，待機電流為 10 μA
最小 1.2 V 數(shù)據(jù)保持
全靜態(tài)工作和三態(tài)輸出
全 TTL 兼容型輸入和輸出
48 引腳、12 mm x 20 mm TSOP-I 封裝和 48 焊球 8 mm x 10 mm TFBGA 封裝
AS6C3216 高密度、低功耗 32 M CMOS SRAM應用
低功耗工業(yè)、電信、醫(yī)療和汽車應用
采用電池后備電源的非易失性存儲器
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊 | 產(chǎn)品型號 | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | AS6C3216A-55TIN | SRAM存儲器-存儲器 | 在線訂購 |
應用案例
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