SMC Diode Solutions eGuard0522P 和 eGuard0524P 是超低電容瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 陣列，用于保護敏感型半導(dǎo)體元件在連接到兩個/四個高速數(shù)據(jù)線路時免受電氣過壓 (EoS) 的影響。 eGuard0522P 和 eGuard0524P 的超低電容（I/O 對 I/O 典型值 0.35 pF）可確保在高達 3.5 GHz 的數(shù)據(jù)速率下信號衰減可以忽略不計。 固態(tài)結(jié)構(gòu)可確保對電氣過壓瞬變造成的靜電放電 (ESD)、電氣快速瞬變 (EFT) 或 CDE（電纜放電事件）執(zhí)行快速箝位。
除了超低電容，eGuard0522P 還提供出色的浪涌電流能力和出色的電壓箝位性能。 7 A 額定浪涌電流能力 (8 x 20 μs) 比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)高約 33%。 1.9 的緊密箝位比 (VC/VRWM)（1 A 時的典型值）可確保將有害的瞬變快速箝位至接近電路正常工作電壓的水平。 超緊密的箝位比比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)高 30%，可為敏感集成電路提供卓越的保護。
EGuard0522P 可為兩個數(shù)據(jù)線路提供保護。 該器件封裝在 RoHS/WEEE 規(guī)范的 6 引腳 DFN，具有 0.55 mm 的極低封裝高度（標(biāo)稱值）。 超低電容、高浪涌抑制能力、嚴(yán)格的箝位比和低封裝高度的組合使得 eGuard0522P 成為當(dāng)今 ESD 敏感的空間受限型應(yīng)用的理想之選。
EGuard0524P 可保護多達四個數(shù)據(jù)線路。 該器件封裝在 RoHS/WEEE 規(guī)范的 10 引腳 DFN，具有 0.5 mm 的極低封裝高度（標(biāo)稱值）。 超低電容、高浪涌抑制能力、嚴(yán)格的箝位比和低封裝高度的組合使 eGuard0524P 成為當(dāng)今 ESD 敏感的空間受限型應(yīng)用的理想之選。