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650 V 碳化硅肖特基二極管
SMC Diode Solutions 的 650 V SiC 肖特基二極管（650 V Silicon Carbide Schottky Diodes）具有出色的效率和較低的系統(tǒng)成本
發(fā)布時間：2018-09-13
SMC Diode Solutions SICR5650、SICRB5650、SICRD5650 和 SICRF5650 是采用 TO-220AC、D2PAK、DPAK 和 ITO-220AC 外殼封裝的單 SiC 肖特基整流器。這些器件是高壓肖特基整流器，具有極低的總傳導(dǎo)損耗和極端溫度下非常穩(wěn)定的開關(guān)特性。它們是在挑戰(zhàn)性環(huán)境中對能量敏感的高頻應(yīng)用的理想選擇。
SICR6650、SICRB6650、SICRD6650 和 SICRF6650 是采用 TO-220AC、D2PAK、DPAK 和 ITO-220AC 外殼封裝的單 SiC 肖特基整流器。這些器件是高壓肖特基整流器，具有極低的總傳導(dǎo)損耗和極端溫度下非常穩(wěn)定的開關(guān)特性。SICR6650、SICRB6650、SICRD6650 和 SICRF6650 非常適用于挑戰(zhàn)性環(huán)境中對能量敏感的高頻應(yīng)用。
SICR10650 和 SICRF10650 是采用 TO-220AC 和 ITO-220AC 封裝的單 SiC 肖特基整流器。這些器件是高壓肖特基整流器，具有極低的總傳導(dǎo)損耗和極端溫度下非常穩(wěn)定的開關(guān)特性。SICR12600 和 SICRF12600 是在具有挑戰(zhàn)性的環(huán)境中對能量敏感的高頻應(yīng)用的理想選擇。
650 V 碳化硅肖特基二極管特性
175°C TJ 工作
超低開關(guān)損耗
開關(guān)速度與工作溫度無關(guān)
低總傳導(dǎo)損耗
高正向浪涌電流能力
高封裝隔離電壓
防護環(huán)帶來更高的堅固性和長期可靠性
無鉛器件
所有 SMC 零件都可追溯到晶圓批次
可根據(jù)要求進行額外的電氣和壽命測試
650 V 碳化硅肖特基二極管應(yīng)用
替代能源逆變器
功率因數(shù)校正 (PFC)
續(xù)流二極管
開關(guān)電源輸出整流
反極性保護
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊 | 產(chǎn)品型號 | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SICR5650 | 碳化硅二極管-二極管 | 二極管 650 V 5A 通孔 TO-220AC | 在線訂購 | |
 | | SICRF5650 | 碳化硅二極管-二極管 | DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S | 在線訂購 | |
 | | SICRF6650 | 碳化硅二極管-二極管 | 二極管 650 V 6A 通孔 ITO-220AC | ￥19.53921 | 在線訂購 |
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| | SICR10650 | 碳化硅二極管-二極管 | 在線訂購 | ||
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