
CGH27015 氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 針對 LTE 通信功率放大器應用的 CGH27015 GaN HEMT(CGH27015 Gallium-Nitride (GaN) High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT))
發(fā)布時間:2018-09-13
Wolfspeed 的 CGH27015 是專為高效率、高增益和寬帶寬功能而設計的 GaN HEMT,因而是 VHF 通信、3G、4G、LTE 和 2.3 GHz 至 2.9 GHz BWA 放大器應用的理想選擇。無與倫比的晶體管采用旋入式法蘭封裝。
CGH27015 氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)特性
VHF:3.0 GHz 操作
30 W 峰值功率能力
15 dB 小信號增益
4.0 W PAVE,EVM < 2.0% 時
平均功率為 4 W 時,漏極效率為 28%
WiMAX 固定接入 802.16-2004 OFDM
WiMAX 移動接入 802.16e OFDMA
CGH27015 氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)應用
放大器應用:
VHF 通信
3G
4G
LTE
2.3 GHz 至 2.9 GHz BWA
圖片 | 數(shù)據(jù)手冊 | 產(chǎn)品型號 | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價格 | 操作 |
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![]() | | CGH27015F | MOSFETs-晶體管 | RF MOSFET HEMT 28V 440166 | ¥1246.55000 | 在線訂購 |
應用案例
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