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H橋IGBT功率單元
本文中的實驗裝置是一臺單相 H 橋IGBT 功率單元，其拓撲結構如圖1 所示。其中，電容C1、C2 各由四個6800 μF 電解電容并聯(lián)組成，開關器件為三菱公司的半橋IGBT 模塊CM300DY－24A。
實驗裝置中直流母線的機械結構如圖2 所示，圖中的A～F 與圖1 相應標注表示同一位置。其中，A 接直流電容正極，與之相連的母線稱為正母線（為便于測量母線電流，分成正母線1 和正母線2 兩部分）；相應地，B 接直流電容負極，與之相連的母線稱為負母線；C、D 和E、F 分別接接兩個半橋IGBT 模塊。
試驗裝置的母線結構
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