與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器相比，F(xiàn)RAM具有下列優(yōu)勢(shì)：

　　非易失性
　　即使沒(méi)有上電，也可以保存所存儲(chǔ)的信息。
　　與SRAM相比，無(wú)需后備電池（環(huán)保產(chǎn)品）

　　更高速度寫入
　　像SRAM一樣，可覆蓋寫入
　　不要求改寫命令

?? 　對(duì)于擦/寫操作，無(wú)等待時(shí)間
　　寫入循環(huán)時(shí)間 =讀取循環(huán)時(shí)間
　　寫入時(shí)間： E2PROM的1/30,000

　　具有更高的讀寫耐久性
　　確保最大1012次循環(huán)（100萬(wàn)億循環(huán)）/位的耐久力
　　耐久性：超過(guò)100萬(wàn)次的 E2PROM

　　具有更低的功耗
　　不要求采用充電泵電路
　　功耗：低于1/400的E2PROM

　　FRAM的存儲(chǔ)單元主要由電容和場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，但這個(gè)電容不是一般的電容，在它的兩個(gè)電極板中間沉淀了一層晶態(tài)的鐵電晶體薄膜。前期的FRAM的每個(gè)存儲(chǔ)單元使用2個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管和2個(gè)電容，稱為“雙管雙容”（2T2C），每個(gè)存儲(chǔ)單元包括數(shù)據(jù)位和各自的參考位。

　　在FRAM讀操作后必須有個(gè)“預(yù)充電”過(guò)程，來(lái)恢復(fù)數(shù)據(jù)位。增加預(yù)充電時(shí)間后，F(xiàn)RAM一個(gè)完整的讀操作周期為130ns，圖（a）所示。這是與SRAM和E2PROM不同的地方。圖（b）為寫時(shí)序。