當(dāng)輸入電壓（VDD）高于檢測電壓（-VDET）時，輸入電壓等于輸出電壓（VOUT），N溝道漏極開路MOSFET關(guān)斷。如圖3（a）所示。

　　當(dāng)輸入電壓（VDD）低于檢測電壓（-VMIN）時，輸出電壓（VOUT）等于VSS。

　　當(dāng)輸入電壓（VDD）下降到最低工作電壓（VMIN）時，輸出電壓不確定。

　　輸入電壓從地電位（VSS）上升時，當(dāng)VDD低于最低工作電壓（VMIN）時，輸出電壓不確定。當(dāng)VDD超過VMIN時，輸出電壓將維持在電位（VSS）。當(dāng)輸入電壓上升到釋放電壓（+VDET）后，輸出電壓等于輸入電壓。

　　釋放電壓（+VDET）和檢測電壓（-VDET）之間的電壓差為滯后電壓。

　　當(dāng)輸入電壓（VDD）從地電位上升時，延時電路將產(chǎn)生一定的延遲時間tDLY。輸入電壓（VDD）超過釋放電壓（+VDET）后，要經(jīng)過一定的時間tDLY，輸出電壓才等于輸入電壓，如圖3（b）表示。

　　1、電池檢測

　　2、自定義電平選擇

　　3、電源失效檢測

　　4、微處理器復(fù)位

　　5、電池記憶備份

　　6、信號存儲保護(hù)