與普通晶閘管的相同點(diǎn)： PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，外部引出陽極、陰極和門極。

　　和普通晶閘管的不同點(diǎn)：GTO是一種多元的功率集成器件，內(nèi)部包含數(shù)十個(gè)甚至數(shù)百個(gè)共陽極的小GTO元，這些GTO元的陰極和門極則在器件內(nèi)部并聯(lián)在一起。

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　　1、抽取飽和導(dǎo)通時(shí)儲存的大量載流子——儲存時(shí)間ts，使等效晶體管退出飽和。

　　2、等效晶體管從飽和區(qū)退至放大區(qū)，陽極電流逐漸減小——下降時(shí)間tf 。

　　3、殘存載流子復(fù)合——尾部時(shí)間tt 。

　　4、通常tf比ts小得多，而tt比ts要長。

　　5、門極負(fù)脈沖電流幅值越大，前沿越陡，抽走儲存載流子的速度越快，ts越短。

　　6、門極負(fù)脈沖的后沿緩慢衰減，在tt階段仍保持適當(dāng)負(fù)電壓，則可縮短尾部時(shí)間 。