磁控濺鍍法(Magnetron sputtering)為目前在許多制程中和積體電路制程技術(shù)相容性較高的技術(shù)，具有可連續(xù)生產(chǎn)高品質(zhì)薄膜的特性，低制程溫度且適用在大面積的各種基板上，因此磁控濺鍍法是目前使用最普遍用?沉積ITO薄膜的技術(shù)。

　　脈沖雷射鍍法(Pulsed laser deposition)固定脈沖頻率、能量約為40-300 mJ的準(zhǔn)分子雷射，將?射脈沖轟擊在ITO靶材上，并加上垂直方向的磁場(chǎng)。此種制程下之成膜速率低，非常耗時(shí)。

　　電弧放電離子鍍(Arc discharge ion plating)電弧離子鍍乃是運(yùn)用電弧放電電漿，將原料進(jìn)行蒸發(fā)與離子化，藉由基材通以負(fù)偏壓吸引離子加速撞擊并還原沉積於基材表面形成鍍膜的工作方式。在沉積過程中會(huì)有微粒產(chǎn)生，導(dǎo)致薄膜變粗糙影響鍍膜的品質(zhì)。

　　反應(yīng)性蒸鍍(Reactive evaporation)藉著對(duì)被蒸鍍物體加熱，利用被蒸鍍物在接近熔點(diǎn)時(shí)的高溫所具備的飽和蒸氣壓，來進(jìn)行薄膜沉積。在真空中通過電流加熱、電子束轟擊加熱和鐳射加熱等方法，使薄膜材料蒸鍍成為原子或分子，它們隨即以較大的自由程作直線運(yùn)動(dòng)，碰撞基片表面而凝結(jié)，形成一層薄膜。

　　離子束濺鍍法(Ion beam sputtering)離子束助鍍法(Ion beam assisted deposition)