目前普遍認(rèn)為有如下一些種類：

　　MCM-L h4CM-L(Multi Chip Module-Laminate)是采用多層印刷電路板制成的多芯片模塊。

　　MCM-l的制造工藝較為成熟，生產(chǎn)成本較低，因芯片的安裝方式和基板的結(jié)構(gòu)有限，高密度布線困難，因此，電性能較差，主要用于30MHz以下的產(chǎn)品，線寬在70-200μm，通孔直徑在300-500μm。

　　MCM-C MCM-C (Multi chip Module-Ceramic)是采用厚膜技術(shù)和高密度多層布線技術(shù)在陶瓷基板上制成的MCM。

　　MCM-C無(wú)論結(jié)構(gòu)或制造工藝都與先進(jìn)HIC極為相似，主要用于30-50MHz的高可靠產(chǎn)品，線寬在100-300μm，通孔直徑在10-300μm。

　　MCM-D MCM-D(Multi Chip Module-Deposited Thin Film)是采用薄膜技術(shù)將金屬材料淀積到陶瓷或硅、鋁基板上，光刻出信號(hào)線、電源線地線、并依次做成多層基板(多達(dá)幾十層)。主要用在500MHz以上的高性能產(chǎn)品中，線寬和間距可做到10-25mm μm，孔徑在1050μm，因而，具有組裝密度高，信號(hào)通道短，寄生效應(yīng)小，噪聲低等優(yōu)點(diǎn)，可明顯地改善系統(tǒng)的高頻性能。

　　MCM-D按照所使用的基板材料又分為MCM-D／C(陶瓷基板薄膜多層布線的MCM)，MCM-D／M(金屬基板薄膜多層布線的多芯片模塊)，MCM-D／Si(硅基板薄膜多層布線的多芯片模塊)。

　　1、多芯片模塊是將多塊未封裝的IC芯片高密度地安裝在同一基板上構(gòu)成的部件，省去了IC的封裝材料和工藝，節(jié)省了原料，減少了制造工藝，極大地縮小了體積，與單芯片封裝相比重量減輕10倍，體積減小了80-90％。

　　2、多芯片模塊是高密度組裝產(chǎn)品，其互連線長(zhǎng)度極大縮短，與封裝好的SMD相比，減小了外引線寄生效應(yīng)對(duì)電路高頻，高速性能的影響，芯片間的延遲減小了75％。

　　3、多芯片模塊能將數(shù)字電器，模擬電路，功能器件，光電器件等合理地制作在同一部件內(nèi)，構(gòu)成多功能高性能子系統(tǒng)或系統(tǒng)。

　　4、多芯片模塊技術(shù)多選用陶瓷材料作為紐裝基板，因此，與SMT用PCB基板相比，熱匹配性能和耐冷熱沖擊力要強(qiáng)得多，團(tuán)而使產(chǎn)品的可靠性獲得了極大的提高。

　　1．組裝基板的制造技術(shù)

　　電路基板的表面布有底，包括互連信號(hào)電路，電源及接地電路的金屬線條，以及各種形式的垂直互連基板，同時(shí)也起著支撐所有芯片的作用。所有基板都是低介電常數(shù)的電介質(zhì)，它們可以是有機(jī)的聚合物或無(wú)機(jī)的陶瓷。

　　在MCM- L基板材料主要有環(huán)氧玻璃薄膜層，聚酰亞胺和氰酸鹽脂?；逯谱鞑捎靡话愕腜CB工藝，不同之處就在于MCM-L需要刻蝕寬度為7511m以下的導(dǎo)體線條，采用激光鉆孔或剝離技術(shù)鉆出直徑為150μm的通孔，薄層的厚度控制在1500μm以內(nèi)。

　　在MCM-C中，采用南溫共燒結(jié)陶瓷工藝，生片帶是由氧化鉛粉漿，少量玻璃及各種有機(jī)成分組成，導(dǎo)體采用耐容金屬M(fèi)OMnMo W等，用網(wǎng)印工藝在生片上印制導(dǎo)體圖形，隨后進(jìn)行加溫、加壓、疊片、對(duì)準(zhǔn)、層壓形成生片組件，放入1600℃左右的溫度下燒結(jié)。也可用低溫共燒結(jié)陶瓷工藝，介質(zhì)帶的燒結(jié)溫度降至8500C左右，這樣就訂使用低熔點(diǎn)Pd、Ag、Cu等金屬材料，目前普遍采用陶瓷玻璃和結(jié)晶陶瓷介質(zhì)材料。

　　在MCM-D中，采用IC工藝制作高密度薄膜互連，基板材料主要有氧化鋁，氧化玻，玻璃，石英、藍(lán)寶石等，制作工藝與IC工藝兼容性好，如用濺射，蒸發(fā)、濕法或干法刻蝕米來(lái)獲得精細(xì)的互連，其通孔為10-20μm。

　　盡管，多年以來(lái)，一直廣泛使用的一些微電路的基板起到了機(jī)械支撐和電絕緣的作用，但現(xiàn)在在多芯片模塊、高密度互連基板和三維封裝中，對(duì)基板的電學(xué)和熱學(xué)性能的要求變得越來(lái)越高了。在高密度封裝中，緊密排列的超大規(guī)模集成電路(VLSIC)芯片使單。位面積產(chǎn)生的熱量更多，如果不將熱量從IC上散去，系統(tǒng)的可靠性就會(huì)下降。有些IC的功率耗散超過(guò)30W／cm2，因此，去除熱量，保持適合的工作溫度是保證芯片和電路長(zhǎng)期可靠的關(guān)鍵。此外，現(xiàn)在在高速電路中，基板在控制和匹配IC阻抗方面起著積極的作用。

　　2．通孔技術(shù)

　　多層布線基板制造技術(shù)的核心是高密度互連技術(shù)，而密度互連的關(guān)鍵是通孔的制造，各個(gè)導(dǎo)體層之間的信號(hào)傳輸線通孔和散熱孔的形成是MCM技術(shù)的基本特征之一。布線結(jié)構(gòu)不同，互連通孔的形成便不盡相同，如疊加式、階梯式、螺旋式、交錯(cuò)式、埋入式、偏移式、一端封閉式等。

　　通孔制造技術(shù)的關(guān)鍵因素是：

　　★通孔的縱橫比。

　　★通孔壁的剖面形狀。

　　★ 制造上具的柔性。

　　目前，常用的通孔制造技術(shù)主要有以下幾種：

　　★濕法腐蝕(RIE)

　　★反應(yīng)離子腐蝕(RIE)。

　　★激光打孔

　　3．芯片與基板粘接

　　在多芯片模塊中，粘接芯片和基板的材料及組裝工藝與混合電路中使用的大致上差不多。和混合電路一樣，在90％以上的多芯片模塊中使用低成本、易于返修的環(huán)氧樹(shù)脂。焊料或共晶粘接法主要用于大功率電路或者必須達(dá)到宇航級(jí)要求的電路。表2比較了環(huán)氧樹(shù)脂和合金材料粘接的優(yōu)缺點(diǎn)：

　?、次⒑附踊ミB技術(shù)

　　將若干個(gè)IC裸芯片裝在—個(gè)單體中叫做多芯片封裝(MCP)，這是第五代封裝技術(shù)的核心，IC裸芯片的焊接(鍵合)包括芯片與芯片、芯片與基板上的焊盤或引腳的焊接(也叫互連)，是MCM技術(shù)的第二突出的特點(diǎn)，軍用MCM中IC裸芯片的數(shù)量愈來(lái)愈多，其焊接技術(shù)對(duì)布線長(zhǎng)度、封裝效率、產(chǎn)品性能及可靠性均有很大的影響。

　　5．封裝

　　封裝有兩種基本的方法，用有機(jī)或無(wú)機(jī)材料進(jìn)行氣密封裝或不密封的封裝。封裝的類型和等級(jí)應(yīng)該由模塊的可靠性要求以及對(duì)該模塊壽命的期望值決定。

　　a．氣密封裝

　　在氣密封裝中，首先將電路裝入金屆或陶瓷的空腔內(nèi)，然后用縫焊、激光焊或低溫焊接的方法將一個(gè)金屬的蓋子焊接在空腔上。也可以將陶瓷的蓋子用低熔點(diǎn)的玻璃密封在陶瓷的空腔上?？墒褂觅|(zhì)譜分析儀檢測(cè)微量的氦漏泄率，以確定封裝的氣密件能。

　　金屬封裝從IC和混合電路到多芯片模塊，金屬和陶瓷封裝都被廣泛應(yīng)用至今。用含有玻璃金屬成分密封的饋迥，如何伐封裝被廣泛地用于密封I／0數(shù)量較少的混合屯路。如果電路中的IC芯片密度較高，血積較大，則I／0數(shù)量就道多(有的超過(guò)500個(gè))，節(jié)距也更精細(xì)(4至6il)。在這種情況下，倫統(tǒng)的柯伐金屬封裝就不能保證模塊在這樣的I／0密度卜具有良好的可靠性。只有含有引腳的共燒陶瓷才可以滿足MCB對(duì)氣密性、結(jié)構(gòu)完整性和I／0密度的要求。

　　b．非氣密性的封裝：板上芯片封裝(COB)