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HIT電池

HIT電池

HIT電池概述

  • 　　HIT太陽(yáng)能電池是采用HIT結(jié)構(gòu)的硅太陽(yáng)能電池，所謂HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)結(jié)構(gòu)就是在P型氫化非晶硅和n型氫化非晶硅與n型硅襯底之間增加一層非摻雜(本征)氫化非晶硅薄膜，采取該工藝措施后，改變了PN結(jié)的性能。因而使轉(zhuǎn)換效率達(dá)到20.7%，開(kāi)路電壓達(dá)到719 mV，并且全部工藝可以在200℃以下實(shí)現(xiàn)。HIT太陽(yáng)能電池按單位面積計(jì)算的發(fā)電量保持著世界領(lǐng)先水準(zhǔn)。HIT具有制備工藝溫度低、轉(zhuǎn)換效率高、高溫特性好等特點(diǎn)，是一種低價(jià)高效電池。HIT的轉(zhuǎn)化效率越高，意味著它更加具有可與傳統(tǒng)的硅晶太陽(yáng)能電池相匹敵的優(yōu)勢(shì)。

HIT電池的優(yōu)點(diǎn)

  • 　　低溫制備：成本優(yōu)勢(shì)

    　　發(fā)射極很?。旱臀?/font>

    　　寬帶隙發(fā)射極：低吸收，高Voc

    　　高Voc：高轉(zhuǎn)換效率

    　　低溫度系數(shù)（轉(zhuǎn)換效率對(duì)溫度不敏感）：在溫度高地區(qū)使用

    　　高耐輻射性能：可應(yīng)用在宇宙空間中

HIT電池的工藝流程

  • 　　1.硅片清洗制絨

    　　2.正面用PECVD制 備本征非晶硅薄膜 和P型非晶硅薄膜

    　　3.背面用PECVD制備 本征非晶硅薄膜和N 型非晶硅薄膜

    　　4.在兩面用濺射法 沉積透明導(dǎo)電氧化 物薄膜

    　　5.絲網(wǎng)印刷制備電 極

HIT電池面臨的挑戰(zhàn)

  • 　　1 非晶硅太陽(yáng)電池的研究，現(xiàn)在主要著重于改善非晶 硅膜本身性質(zhì)，以減少缺陷密度。嚴(yán)格控制a-Si/cSi界面質(zhì)量，不斷降低缺陷態(tài)密度。

    　　2 優(yōu)化光陷，降低反射率。

    　　3 提高透明導(dǎo)電膜的電導(dǎo)率，透射率。

    　　4 降低金屬柵線的接觸電阻。

提問(wèn)者：cnm5 地點(diǎn)：- 瀏覽次數(shù)：1163 提問(wèn)時(shí)間：07-23 21:08
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