NVRAM主要有兩種，分別是多層式存儲（MLC, Multi Level Cell）及單層式存儲（SLC, Single Level Cell）。兩者讀取速度差異不大，使用MLC顆粒的固態(tài)硬盤成本較使用SLC的低，但是寫入速度較低、使用壽命也較短。

　　閃存是最常見的非易失性存儲器。小容量的閃存可被制作成帶有USB接口的移動存儲設(shè)備，亦即人們常說的“閃存盤”、“優(yōu)盤”。隨著生產(chǎn)成本的下降，將多個(gè)大容量閃存模塊集成在一起，制成以閃存為存儲介質(zhì)的固態(tài)硬盤已成為可能。

　　NVRAM具備DRAM與SRAM的物理優(yōu)點(diǎn)，傳輸速度快，單片容量大，也具備了硬盤的永久（相對而言）存儲的特性。

　　NVRAM可廣泛應(yīng)用于：

　　●汽車系統(tǒng)

　　●通訊系統(tǒng)

　　●計(jì)算機(jī)系統(tǒng)

　　●消費(fèi)系統(tǒng)

　　●工業(yè)系統(tǒng)

　　隨著移動設(shè)備、便攜式設(shè)備和無線設(shè)備的迅猛發(fā)展，NVRAM也遇到了前所未有的好時(shí)機(jī)，并迅速走俏市場。日前，在多種NVRAM中，以閃存（Flash Memory）技術(shù)最為引人注目，并占據(jù)著NVRAM市場的霸主地位。盡管現(xiàn)在不同于閃存技術(shù)的其他NVRAM技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)，并逐漸被一些廠商重視并看好，但在近幾年內(nèi)，閃存仍將以其強(qiáng)大的優(yōu)勢稱霸NVRAM應(yīng)用市場。

　　移動市場和無線市場的強(qiáng)大需求為NVRAM帶來了市場機(jī)會，同時(shí)也對NVRAM提出了更高的要求，更快的速度、更大的容量、更高的整合度以及更低的能耗始終是NVRAM的奮斗目標(biāo)，未來NVRAM跟我們的關(guān)系將更加密切。