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電荷耦合器件

電荷耦合器件

電荷耦合器件概述

  •   電荷耦合器件是一種用于探測光的硅片,比傳統(tǒng)的底片更能敏感的探測到光的變化。是用電荷量來表示不同狀態(tài)的動態(tài)移位寄存器,由時鐘脈沖電壓來產(chǎn)生和控制半導(dǎo)體勢阱的變化,實現(xiàn)存儲和傳遞電荷信息的固態(tài)電子器件。英文簡稱 CCD 。電荷耦合器件由美國貝爾實驗室的W.S.博伊爾和G.E.史密斯于1969年發(fā)明,它由一組規(guī)則排列的金屬-氧化物-半導(dǎo)體( MOS)電容器陣列和輸入、輸出電路組成。傳統(tǒng)的固態(tài)電子器件,信息的存在和表示方式,通常是用電流或電壓 。而在CCD中,則是用電荷,因此CCD對信息的表達 ,具有更高的靈敏度。固體成像 、信息處理和大容量存儲器是CCD的三大主要用途。各種線陣、面陣傳感器已成功地用于天文、遙感、傳真、攝像等領(lǐng)域。CCD信號處理兼有數(shù)字和模擬兩種信號處理技術(shù)的長處,在中等精度的雷達和通信系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用 。CCD還可用作大容量串行存儲器,其存取時間、系統(tǒng)容量和制造成本都介于半導(dǎo)體存儲器和磁盤、磁鼓存儲器之間。

電荷耦合器件的結(jié)構(gòu)及原理

  •   CCD的雛形是在N型或 P型硅襯底上生長一層二氧化硅薄層,再在二氧化硅層上淀積并光刻腐蝕出金屬電極,這些規(guī)則排列的金屬-氧化物-半導(dǎo)體電容器陣列和適當(dāng)?shù)妮斎?、輸出電路就?gòu)成基本的 CCD移位寄存器。對金屬柵電極施加時鐘脈沖,在對應(yīng)柵電極下的半導(dǎo)體內(nèi)就形成可儲存少數(shù)載流子的勢阱??捎霉庾⑷牖螂娮⑷氲姆椒▽⑿盘栯姾奢斎雱葳?。然后周期性地改變時鐘脈沖的相位和幅度,勢阱深度則隨時間相應(yīng)地變化,從而使注入的信號電荷在半導(dǎo)體內(nèi)作定向傳輸。CCD 輸出是通過反相偏置PN結(jié)收集電荷,然后放大、復(fù)位,以離散信號輸出。

      電荷轉(zhuǎn)移效率是 CCD最重要的性能參數(shù)之一,用每次轉(zhuǎn)移時被轉(zhuǎn)移的電荷量和總電荷量的百分比表示。轉(zhuǎn)移效率限制了CCD的最大轉(zhuǎn)移級數(shù)。

      體溝道CCD的電荷轉(zhuǎn)移機理和表面溝道CCD略有不同。體溝道CCD又稱為埋溝CCD。所謂體溝道即用來存儲和轉(zhuǎn)移信號電荷的溝道是在離開半導(dǎo)體表面有一定距離的體內(nèi)形成。體溝道 CCD的時鐘頻率可高達幾百兆赫,而通常的表面溝道CCD只幾兆赫。

電荷耦合器件的功能及應(yīng)用

  •   電荷耦合器件具有光電轉(zhuǎn)換、信號存儲及信號傳輸能力,是一種嶄新的全固體自掃描成像器件。

      固體成像、信號處理和大容量存儲器是CCD的三大主要用途。各種線陣、面陣像感器已成功地用于天文、遙感、傳真、卡片閱讀、光測試和電視攝像等領(lǐng)域,微光CCD和紅外CCD在航遙空感、熱成像等軍事應(yīng)用中顯示出很大的作用。CCD 信號處理兼有數(shù)字和模擬兩種信號處理技術(shù)的長處,在中等精度的雷達和通信系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。CCD還可用作大容量串行存儲器,其存取時間、系統(tǒng)容量和制造成本都介于半導(dǎo)體存儲器和磁盤、磁鼓存儲器之間。

電荷耦合器件的衡量指標(biāo)

  •   衡量電荷耦合器件好壞的指標(biāo)很多,有像素數(shù)量,CCD尺寸,靈敏度,信噪比等,其中像素數(shù)以及CCD尺寸是重要的指標(biāo)。像素數(shù)是指電荷耦合器件上感光元件的數(shù)量。攝像機拍攝的畫面可以理解為由很多個小的點組成,每個點就是一個像素。顯然,像素數(shù)越多,畫面就會越清晰,如果電荷耦合器件沒有足夠的像素的話,拍攝出來的畫面的清晰度就會大受影響,因此,理論上電荷耦合器件的像素數(shù)量應(yīng)該越多越好。但電荷耦合器件像素數(shù)的增加會使制造成本以及成品率下降,而且在現(xiàn)行電視標(biāo)準下,像素數(shù)增加到某一數(shù)量后,再增加對拍攝畫面清晰度的提高效果變得不明顯,因此,一般一百萬左右的像素數(shù)對一般的使用已經(jīng)足夠了。

電荷耦合器件的加工工藝

  •   電荷耦合器件的加工工藝有兩種,一種是TTL工藝,一種是CMOS工藝,現(xiàn)在市場上所說的電荷耦合器件和CMOS其實都是電荷耦合器件,只不過是加工工藝不同,前者是毫安級的耗電量,二后者是微安級的耗電量。TTL工藝下的CCD成像質(zhì)量要優(yōu)于CMOS工藝下的電荷耦合器件。
提問者:ywetfwer 地點:- 瀏覽次數(shù):592 提問時間:03-27 02:37
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