對(duì)于耗盡型的JFET，在平衡時(shí)(不加電壓)時(shí)，溝道電阻最??；電壓V_ds和V_gs都可改變柵p-n結(jié)勢(shì)壘的寬度，并因此改變溝道的長(zhǎng)度和厚度（柵極電壓使溝道厚度均勻變化，源漏電壓使溝道厚度不均勻變化），使溝道電阻變化，從而導(dǎo)致Ids變化，以實(shí)現(xiàn)對(duì)輸入信號(hào)的放大。

　　當(dāng)V_ds較低時(shí)，JFET的溝道呈現(xiàn)為電阻特性，是所謂電阻工作區(qū)，這時(shí)漏極電流基本上隨著電壓V_ds的增大而線性上升，但漏極電流隨著柵極電壓V_gs的增大而平方式增大；進(jìn)一步增大V_ds時(shí)，溝道即首先在漏極一端被夾斷，則漏極電流達(dá)到最大而飽和（飽和電流搜大小決定于沒(méi)有被夾斷的溝道的電阻），這就是JFET的飽和放大區(qū)，這時(shí)JFET呈現(xiàn)為一個(gè)恒流源。

?　　JFET的放大作用可用所謂跨導(dǎo)g_m = δI_ds / δV_gsS ](V_ds =常數(shù)) 來(lái)表示，要求跨導(dǎo)越大越好。

　　N溝道和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理完全相同，現(xiàn)以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例，分析其工作原理。

　　N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管工作時(shí)，也需要外加如圖1所示的偏置電壓，即在柵-源極間加一負(fù)電壓(v_GS＜0)，使柵-源極間的P+N結(jié)反偏，柵極電流i_G≈0，場(chǎng)效應(yīng)管呈現(xiàn)很高的輸入電阻(高達(dá)108W左右)。在漏-源極間加一正電壓(v_DS＞0)，使N溝道中的多數(shù)載流子電子在電場(chǎng)作用下由源極向漏極作漂移運(yùn)動(dòng)，形成漏極電流i_D。i_D的大小主要受柵-源電壓v_GS控制，同時(shí)也受漏-源電壓v_DS的影響。因此，討論場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理就是討論柵-源電壓v_GS對(duì)漏極電流i_D（或溝道電阻）的控制作用，以及漏-源電壓v_DS對(duì)漏極電流i_D的影響。

　　v_GS對(duì)i_D的控制作用

　　圖2所示電路說(shuō)明了v_GS對(duì)溝道電阻的控制作用。為便于討論，先假設(shè)漏-源極間所加的電壓v_DS=0。當(dāng)柵-源電壓v_GS=0時(shí)，溝道較寬，其電阻較小，如圖2(a)所示。當(dāng)v_GSGS| 的增加，耗盡層將主要向N溝道中擴(kuò)展，使溝道變窄，溝道電阻增大，如圖2(b)所示。當(dāng)|v_GS| 進(jìn)一步增大到一定值|V_P| 時(shí)，兩側(cè)的耗盡層將在溝道中央合攏，溝道全部被夾斷，如圖2(c)所示。由于耗盡層中沒(méi)有載流子，因此這時(shí)漏-源極間的電阻將趨于無(wú)窮大，即使加上一定的電壓v_DS，漏極電流iD也將為零。這時(shí)的柵-源電壓稱為夾斷電壓，用V_P表示。

　?、偈请妷嚎刂破骷?，則不需要大的信號(hào)功率。

　?、谑嵌鄶?shù)載流子導(dǎo)電的器件，是所謂單極晶體管，則無(wú)少子存儲(chǔ)與擴(kuò)散問(wèn)題，速度高，噪音系數(shù)低；而且漏極電流Ids的溫度關(guān)系決定于載流子遷移率的溫度關(guān)系，則電流具有負(fù)的溫度系數(shù)，器件具有自我保護(hù)的功能。

　?、圯斎攵耸欠雌膒-n結(jié), 則輸入阻抗大, 便于匹配。

　　④輸出阻抗也很大, 呈現(xiàn)為恒流源，這與BJT大致相同。

　?、軯FET一般是耗盡型的，但若采用高阻襯底, 也可得到增強(qiáng)型JFET(增強(qiáng)型JFET在高速、低功耗電路中很有應(yīng)用價(jià)值)；但是一般只有短溝道的JFET才是能很好工作的增強(qiáng)型器件。實(shí)際上，靜電感應(yīng)晶體管也就是一種短溝道的JFET。

　　⑥溝道是處在半導(dǎo)體內(nèi)部，則溝道中的載流子不受半導(dǎo)體表面的影響，因此遷移率較高、噪聲較低。