1.微影技術(shù)所要求的光源，可以用可見光(Visible)、近紫外光 (Near Ultra-Violet, NUV)、中紫外光(Mid UV, MUV)、深紫外光(Deep UV, DUV)、真空紫外光(Vacuum UV, VUV)、極短紫外光(Extreme UV, EUV)、X-光(X-Ray)等光源對阻劑進行照射；也可以用高能電子束(25 100 keV)，低能電子束( 100 eV)，鎵離子(Ga+)聚焦離子束(10 100 keV)對阻劑進行照射。

　　2.微影技術(shù)所要求的線幅寬度，隨著半導體積體電路之積體層次的快速增加，也越來越小。 制造64百萬位元(64 Megabit)動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM) 的設(shè)計準則(Design Rules)最小線幅寬度約為0.35微米；256百萬位元約為 0.25微米；10億位元(1 Gigabit)約為0.18微米；40億位元(4 Gigabit)約為 0.15 0.13微米。