若開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，蓄積在寄生電感中能量對(duì)開(kāi)關(guān)的寄生電容充電的同時(shí)，通過(guò)吸收電阻對(duì)吸收電容充電。由于吸收電阻作用，阻抗變大，那么，吸收電容也等效地增加了開(kāi)關(guān)的并聯(lián)電容容量，為此，抑制開(kāi)關(guān)斷開(kāi)的電壓浪涌。開(kāi)關(guān)接通時(shí)，吸收電容通過(guò)開(kāi)關(guān)放電，其放電電流被吸收電阻所限制。

　　為了限制電路電壓上升率過(guò)大，確保晶閘管安全運(yùn)行，常在晶閘管兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)，利用電容兩端電壓不能突變的特性來(lái)限制電壓上升率。因?yàn)殡娐房偸谴嬖陔姼械?變壓器漏感或負(fù)載電感)，所以與電容C串聯(lián)電阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C電路在過(guò)渡過(guò)程中，因振蕩在電容器兩端出現(xiàn)的過(guò)電壓損壞晶閘管。同時(shí)，避免電容器通過(guò)晶閘管放電電流過(guò)大，造成過(guò)電流而損壞晶閘管。

　　由于晶閘管過(guò)流過(guò)壓能力很差，如果不采取可靠的保護(hù)措施是不能正常工作的。RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)就是常用的保護(hù)方法之一。

　　電容的選擇

　　C=(2.5-5)×10的負(fù)8次方×If

　　If=0.367Id

　　Id-直流電流值

　　如果整流側(cè)采用500A的晶閘管(可控硅)

　　可以計(jì)算C=(2.5-5)×10的負(fù)8次方×500=1.25-2.5mF

　　選用2.5mF，1kv 的電容器

　　電阻的選擇：

　　R=((2-4) ×535)If=2.14-8.56

　　選擇10歐

　　PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的負(fù)12次方×R)2

　　Pfv=2u(1.5-2.0)

　　u=三相電壓的有效值

　　阻容吸收回路在實(shí)際應(yīng)用中，RC的時(shí)間常數(shù)一般情況下取1~10毫秒。

　　小功率負(fù)載通常取2毫秒左右，R=220歐姆1W，C=0.01微法400~630V。

　　大功率負(fù)載通常取10毫秒，R=10歐姆10W，C=1微法630~1000V。

　　R的選?。盒」β蔬x金屬膜或RX21線繞或水泥電阻；大功率選RX21線繞或水泥電阻。

　　C的選?。篊BB系列相應(yīng)耐壓的無(wú)極性電容器。

　　看保護(hù)對(duì)象來(lái)區(qū)分：接觸器線圈的阻尼吸收和小于10A電流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范疇；接觸器觸點(diǎn)和大于10A以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范疇。