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硅襯底LED

硅襯底LED

硅襯底LED的基本技術(shù)路線

  •   在Si襯底上生長GaN,制作LED藍(lán)光芯片。

      工藝流程:在Si襯底上生長AlN緩沖層→生長n型GaN→生長InGaN/GaN多量子阱發(fā)光層→生長p型AIGaN層→生長p型GaN層→鍵合帶Ag反光層并形成p型歐姆接觸電極→剝離襯底并去除緩沖層→制作n型摻si層的歐姆接觸電極→合金→鈍化→劃片→測試→包裝。

硅襯底LED的芯片制造工藝

  •   采用Thomas Swan CCS低壓MOCVD系統(tǒng)在50 mm si(111)襯底上生長GaN基MQW結(jié)構(gòu)。使用三甲基鎵(TMGa)為Ga源、三甲基鋁(TMAI)為Al源、三甲基銦(TMIn)為In源、氨氣(NH3)為N源、硅烷(SiH4)和二茂鎂(CP2Mg)分別用作n型和p型摻雜劑。首先在Si(111)襯底上外延生長AlN緩沖層,然后依次生長n型GaN層、InGaN/GaN多量子阱發(fā)光層、p型AlGaN層、p型GaN層,接著在p面制作Ag反射鏡并形成p型歐姆接觸,然后通過熱壓焊方法把外延層轉(zhuǎn)移到導(dǎo)電基板上,再用Si腐蝕液把Si襯底腐蝕去除并暴露n型GaN層,使用堿腐蝕液對n型面粗化后再形成n型歐姆接觸,這樣就完成了垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的制作。結(jié)構(gòu)圖見圖1。

    硅襯底LED的芯片結(jié)構(gòu)

      從結(jié)構(gòu)圖中看出,Si襯底芯片為倒裝薄膜結(jié)構(gòu),從下至上依次為背面Au電極、Si基板、粘接金屬、金屬反射鏡(p歐姆電極)、GaN外延層、粗化表面和Au電極。這種結(jié)構(gòu)芯片電流垂直分布,襯底熱導(dǎo)率高,可靠性高;發(fā)光層背面為金屬反射鏡,表面有粗化結(jié)構(gòu),取光效率高。

GaN的特點(diǎn)

  •   藍(lán)寶石襯底GaN基LED的成功商業(yè)化為硅襯底GaN基的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。然而還有不少問題值得研究,如足夠厚無裂紋薄膜生長、晶體質(zhì)量的提高等。在Si襯底上制造GaN基具有廣闊的應(yīng)用前景。相信通過進(jìn)一步優(yōu)化工藝,高亮度、大功率、低成本的Si襯底GaN基投人市場只是時(shí)間的問題。

我國原創(chuàng)硅襯底LED面臨的挑戰(zhàn)

  •   最近,以國際金融公司(IFC)為首的投資機(jī)構(gòu)對晶能光電增資5550萬美元,這一事件在LED業(yè)界還是頗引人注目的。IFC是國際知名的融資公司,而晶能光電因?yàn)槠鋼碛兄袊瓌?chuàng)的硅襯底LED技術(shù),在業(yè)界擁有特殊地位。

      據(jù)了解,此次融資的目的是擴(kuò)產(chǎn),但是投資方并沒有明確表示重點(diǎn)擴(kuò)產(chǎn)那部分業(yè)務(wù)。因?yàn)榫苣壳霸谕七M(jìn)硅襯底LED大功率照明技術(shù)的同時(shí),也在關(guān)注大尺寸背光源市場,而據(jù)了解,晶能目前在大尺寸背光市場所用的技術(shù)主要是藍(lán)寶石襯底LED技術(shù)。

      電視背光源市場有其特殊性,LED作為背光源,就其芯片來講,屬于中等尺寸。目前大陸地區(qū)還沒有一家LED芯片企業(yè)順利進(jìn)入大尺寸背光市場。在今年9月全國LED行業(yè)學(xué)術(shù)會議上,南昌大學(xué)教授江風(fēng)益曾經(jīng)指出,硅襯底LED的優(yōu)勢是“一大一小”。大是指大功率照明芯片,小是指應(yīng)用于顯示顯像領(lǐng)域的小尺寸芯片,而目前看中等尺寸芯片在背光源市場應(yīng)用還未見明顯優(yōu)勢。作為企業(yè),晶能想利用藍(lán)寶石LED技術(shù)進(jìn)入電視背光市場是可以理解的,但晶能的優(yōu)勢是硅襯底LED的先發(fā)優(yōu)勢,如果公司一旦放慢硅襯底LED的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化速度,無論對晶能公司本身還是國家(我國LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展),都將可能失去市場先機(jī)。

      從投資的角度看,這次融資對硅襯底LED技術(shù)的發(fā)展和產(chǎn)業(yè)化具有一定的推動(dòng)作用,但有利有弊。對于高新技術(shù)的融資,是好事不是壞事。但海外資金注資中國原創(chuàng)技術(shù),是福是禍還需要時(shí)間的檢驗(yàn)。機(jī)構(gòu)融資資金是一把雙刃劍,具有一定的壟斷性,其實(shí)并不利于這一中國原創(chuàng)的技術(shù)在中國的輻射和推廣。不可否認(rèn),風(fēng)險(xiǎn)投資資金在促進(jìn)技術(shù)發(fā)展和產(chǎn)業(yè)化的同時(shí),也對這一技術(shù)在中國的輻射和推廣產(chǎn)生制約。當(dāng)初引進(jìn)海外風(fēng)險(xiǎn)投資,隨后產(chǎn)生一系列問題,這是當(dāng)初的決策者沒有想到的。

      從管理看,一個(gè)公司在不同的成長階段要用不同的管理理念。不能否認(rèn),晶能目前還是一個(gè)小公司,用大公司的管理架構(gòu),致使其效率低下,包括管理效率、研發(fā)效率、生產(chǎn)效率等。目前晶能的運(yùn)作模式并不利于硅襯底LED技術(shù)的發(fā)展。同時(shí),國家對這一原創(chuàng)技術(shù)的支持力度和關(guān)注度也不夠。目前三星等國際大公司以及LED行業(yè)幾大巨頭如飛利浦、歐司朗、CREE等都加大了對硅襯底LED技術(shù)的研發(fā)力度,如果此時(shí)我們不加以重視,我們將失去我們已經(jīng)具有的先發(fā)優(yōu)勢。無論從企業(yè)的角度還是國家的角度,加快發(fā)展這一中國原創(chuàng)技術(shù)已經(jīng)迫在眉睫?,F(xiàn)在已經(jīng)到了從國家層面考慮如何做大做強(qiáng)這一原創(chuàng)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化問題的時(shí)候,而不能僅僅局限于江西、南昌以及晶能光電一家公司。希望晶能光電能夠在中華大地上開花并結(jié)出碩果,使中國原創(chuàng)技術(shù)走向世界,為人類照明事業(yè)作貢獻(xiàn)。

提問者:fu6845463651 地點(diǎn):- 瀏覽次數(shù):9439 提問時(shí)間:06-08 18:45
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