載流子遷移率高

　　特性不均現(xiàn)象少

　　材料和工藝成本降低

　　工藝溫度低

　　可利用涂布工藝

　　透明率高

　　帶隙大

　　氧化物半導(dǎo)體TFT是透明非晶氧化物半導(dǎo)體TFT（TAOS-TFT）的代表，被視為新一代顯示器用薄膜晶體管（TFT）最有希望的候補技術(shù)。近來將其應(yīng)用于柔性顯示器的開發(fā)成果接連不斷。在2010年1月25～26日舉行的“International Workshop on Transparent Amorphous Oxide Semiconductors（TAOS 2010）”上，凸版印刷公開了以應(yīng)用于電子紙領(lǐng)域為目的的開發(fā)成果，而大日本印刷則展示了柔性有機EL面板的試制結(jié)果。另外，美國俄勒岡州立大學(xué)(Oregon State University)也發(fā)表了利用印刷法制造TAOS-TFT的研究成果。

　　凸版印刷確立了利用印刷法來制造電子紙的目標(biāo)，目前正考慮在該領(lǐng)域應(yīng)用TAOS-TFT。該公司曾于2009年12月發(fā)表相關(guān)成果，使用TAOS涂膜在玻璃底板上制造TAOS-TFT后成功驅(qū)動了電子紙。此次介紹了之后的進展。首先將2009年12月發(fā)表時只有0.5cm2/Vs的TAOS-TFT遷移率提高到了10倍，達到了5.4cm2/Vs。凸版印刷綜合研究所新一代環(huán)境能源研究所高級首席研究員伊藤學(xué)稱：“這是通過改進涂布材料、元器件結(jié)構(gòu)及鈍化膜等手段實現(xiàn)的?！绷硗猓?qū)動的面板的分辨率也有所提高。2009年12月時驅(qū)動的只是2英寸QQVGA（80×60像素）50ppi（pixel per inch）面板，而此次驅(qū)動的則是VGA（640×480像素）400ppi面板。

　　TAOS-TFT制造工藝的最高溫度與2009年12月時同為270℃，但凸版印刷的伊藤表示：“現(xiàn)在估計還能降至250～240℃，今后還打算進一步降至150℃”。這樣做是因為制造溫度降至150℃后，便可使用樹脂底板。但伊藤又稱，要想達到這一目標(biāo)，“恐怕還需要徹底改進由涂布材料形成TAOS膜的化學(xué)反應(yīng)設(shè)計”。

　　大日本印刷介紹了分辨率為85ppi的4.7英寸QVGA（320×240像素）柔性有機EL面板的試制結(jié)果。試制的面板厚度為0.4mm，彎折百次以上，也未發(fā)現(xiàn)顯示性能劣化。這是通過在頂部發(fā)光型白色LED基礎(chǔ)上，組合使用柔性彩色濾光片以及不銹鋼底板上形成的TAOS-TFT而實現(xiàn)的。

　　彩色濾光片使用液體材料直接在聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN：polyethylene naphthalate）底板上繪制RGB圖案。TAOS-TFT是利用濺鍍法在不銹鋼底板上形成TAOS膜之后，再經(jīng)300℃退火處理后制成。TAOS-TFT的遷移率為4.1cm2/Vs，導(dǎo)通/截止比為107～108，性能水平與在玻璃底板上形成時相當(dāng)。

　　俄勒岡州立大學(xué)展示了利用有機溶媒溶解金屬氯化物后的液體材料，以噴墨法形成TAOS膜的TAOS-TFT試制結(jié)果。在TAOS膜使用IGZO（In-Ga-Zn-O）時，通過500℃退火處理，獲得了遷移率為25.6cm2/Vs、導(dǎo)通/截止比為107的良好特性。至于可進行低溫退火處理的TAOS膜，該大學(xué)提到的是In2O3。據(jù)稱，即使將退火溫度降至300℃，是In2O3薄膜仍可保持17.0cm2/Vs的遷移率，而如果允許遷移率降至1cm2/Vs的話，還可將退火溫度進一步降至200℃。