雙面金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)、特別的內(nèi)部設(shè)計和端面噴金技術(shù)，使電容具低感抗，多條引線設(shè)計，可承受更高紋波電流，高du/dv以及高過壓能力。用于各類IGBT緩沖線路突波吸收，各類高頻諧振線路。

　　電容結(jié)構(gòu): 雙層金屬化膜，內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu)

　　封裝: 阻燃塑膠外殼，環(huán)氧樹脂封裝，符合(UL94V-0 )標準.

　　尺寸: 適合于各種IGBT保護。

　　電容量: 0.0047 to 6.8μF

　　額定電壓: 700 to 3000 Vdc

　　損耗角正切:

　　測試條件 1000±20 Hz ， 25±5℃.

　　Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4

　　絕緣電阻: 3000s，s= MΩ. μF

　　測試條件 1 minute，100Vdc (25±5℃)

　　耐電壓: 2Ur (DC)測試條件 10s，t 25±5℃，1Min

　　工作溫度: -40~+85℃