只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導通。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變（交流過零）時，單向可控硅才由低阻導通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止狀態(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態(tài)相當于開關的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點開關。

　　雙向可控硅第一陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和第一陽極A1間加有正負極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導通呈低阻狀態(tài)。此時A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發(fā)電壓，也能繼續(xù)保持導通狀態(tài)。只有當?shù)谝魂枠OA1、第二陽極A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發(fā)電壓方可導通。

　　萬用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短線瞬間短接陽極A和控制極G，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞。

　　2. 雙向可控硅的檢測。

　　用萬用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻，結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無窮大。若一組為數(shù)十歐姆時，該組紅、黑表所接的兩引腳為第一陽極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽極A2。確定A1、G極后，再仔細測量A1、G極間正、反向電阻，讀數(shù)相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為第一陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽極A2，紅表筆接第一陽極A1，此時萬用表指針不應發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發(fā)電壓，A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開A2、G間短接線，萬用表讀數(shù)應保持10歐姆左右。互換紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽極A2，黑表筆接第一陽極A1。同樣萬用表指針應不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接，給G極加上負的觸發(fā)電壓，A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線，萬用表讀數(shù)應不變，保持在10歐姆左右。符合以上規(guī)律，說明被測雙向可控硅未損壞且三個引腳極性判斷正確。 檢測較大功率可控硅時，需要在萬用表黑筆中串接一節(jié)1.5V干電池，以提高觸發(fā)電壓。

　　3.晶閘管(可控硅)的管腳判別

　　晶閘管管腳的判別可用下述方法： 先用萬用表R*1K擋測量三腳之間的阻值，阻值小的兩腳分別為控制極和陰極，所剩的一腳為陽極。再將萬用表置于R*10K擋，用手指捏住陽極和另一腳，且不讓兩腳接觸，黑表筆接陽極，紅表筆接剩下的一腳，如表針向右擺動，說明紅表筆所接為陰極，不擺動則為控制極。

　　1、沒有足夠的熱沉（散熱體）。大家都知道，半導體器件的工作是要發(fā)熱的，如果熱量不能被有效的散發(fā)出去（不能達到合理的熱平衡點）的話，會產(chǎn)生熱奔現(xiàn)象，進而導致熱擊穿。

　　2、電路電壓超過器件固有耐壓最大值。當然這種過電壓包括：輸入過電壓、內(nèi)部過電壓和輸出過電壓。過電壓會產(chǎn)生局部熱奔，可以說最終還是電流導致的熱擊穿。

　　為什么說這兩種是常見的失效呢？因為這代表了最普遍的應用失效，大多是對器件不了解的工程師遇到的情況。解決起來很簡單。

　　二、不常見的失效

　　di/dt 、 dv/dt 、 光照

　　1、di/dt失效，也叫初始電流上升率失效。可控硅的開通時要經(jīng)歷延遲階段、上升階段、擴散階段的。而電流上升過快導致局部電流密度過大，而產(chǎn)生熱擊穿。電容投切設備上比較常見這樣的實效。

　　2、dv/dt失效，晶閘管在阻斷狀態(tài)下所能承受的最大正向電壓上升率。在一個正向電壓上升率下，J2結(jié)空間電荷區(qū)的微分電容Cj充電需要電流密度，在P2層中，代表了流向J3的空穴流，效果與門極觸發(fā)電流相似。（簡單的說，高dv/dt可使器件導通）那么器件在非正常開通的情況下，不禁對器件會造成損害，甚至危及到整個設備。

　　3、光照。光照會使流過反偏P-N結(jié)的電流密度增加，導致器件開通，光控晶閘管就是利用這個原理。當然這種失效我們可以不做考慮，因為我們能得到可控硅都是封裝在一個相對密閉的管殼內(nèi)，光照極其有限。

　　三、特殊應用必須考慮的失效

　　熱循環(huán)失效 、 熱斑失效

????? 1、熱循環(huán)失效，一種很不常見的失效，但卻實實在在的存在，國外在上個世紀八十年代就已經(jīng)重視起來了。失效在于，器件內(nèi)部所用的材料不同，熱膨脹系數(shù)也不同，在經(jīng)歷反復的（冷-熱-冷）工作時，產(chǎn)生機械摩擦。導致失效。

　　2、熱斑失效，在期間開通和關斷的瞬態(tài)過程中，會出現(xiàn)局部重載區(qū)，局部重載區(qū)與相鄰區(qū)域存在局部溫差Tloc，當 Tloc大于300K時，器件失效。