變?nèi)荻O管又稱"可變電抗二極管"。所用材料多為硅或砷化鎵單晶，并采用外延工藝技術(shù)。反偏電壓愈大，則結(jié)電容愈小。變?nèi)荻O管具有與襯底材料電阻率有關(guān)的串聯(lián)電阻。

　　圖 是變?nèi)荻O管的電路圖形符號。

　　變?nèi)荻O管屬于反偏壓二極管，改變其PN結(jié)上的反向偏壓，即可改變PN結(jié)電容量。反向偏壓越高，結(jié)電容則越少，反向偏壓與結(jié)電容之間的關(guān)系是非線性的。

　　變?nèi)荻O管有玻璃外殼封裝（玻封）、塑料封裝（塑封）、金屬外殼封裝（金封）和無引線表面封裝等多種封裝形式、如圖所示。通常，中小功率的變?nèi)荻O管采用玻封、塑封或表面封裝，而功率較大的變?nèi)荻O管多采用金封。

　　圖1 變?nèi)荻O管的構(gòu)造原理、簡化等效電路及電路符號

　　變?nèi)荻O管的構(gòu)造原理參見圖1(a)。從本質(zhì)上講，它屬于反偏壓的二極管，其結(jié)電容就是耗盡層的電容?？山品春谋M層視為平行板電容器，兩個導(dǎo)電板之間有介質(zhì)。因此，結(jié)電容C1的容量與耗盡層的寬度d成反比，有公式C1∝1/d，又因為d與反向偏壓VR的n次方成正比（n是與摻雜濃度有關(guān)的常數(shù)），故C1∝1/VRn，因此，反向偏壓愈高，耗盡區(qū)就愈寬，而結(jié)電容量愈小。反之亦然。(a)圖中，VR1＞VR2，故d2＞d1，Cj2＜Cj1。

　　變?nèi)荻O管的簡化等效電路及電路符號分別如圖1(b)、(c)所示。圖中用一只可變電容來表示結(jié)電容。R2是半導(dǎo)體材料的電阻。

　?、僮罡叻聪蚬ぷ麟妷篤R:是指加在變?nèi)荻O管兩端的反向電壓不能超過的電壓允許值。

　?、诜聪驌舸╇妷篤B。:在施加反向電壓的情況下，使變?nèi)荻O管擊穿的電壓。

　　③結(jié)電容C:它是指在一特定的反偏壓下，變?nèi)荻O管內(nèi)部PN結(jié)的電容。

　　④結(jié)電容變化范圍:在工作電壓范圍內(nèi)結(jié)電容的變化范圍。

　　⑤電容比:是指結(jié)電容變化范圍內(nèi)的最大電容與最小電容之比。

　　⑥Q值:是變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù)，它反映了對回路能量的損耗。

　　變?nèi)荻O管發(fā)生故障，主要表現(xiàn)為漏電或性能變差：

　?。?）發(fā)生漏電現(xiàn)象時，高頻調(diào)制電路將不工作或調(diào)制性能變差。

　　（2）變?nèi)菪阅茏儾顣r，高頻調(diào)制電路的工作不穩(wěn)定，使調(diào)制后的高頻信號發(fā)送到對方被對方接收后產(chǎn)生失真。

　　出現(xiàn)上述情況之一時，就應(yīng)該更換同型號的變?nèi)荻O管。