1、有源電子元件：在模擬或數(shù)字電路中，可以自己控制電壓和電流，以產(chǎn)生增益或開關(guān)作用，即對施加信號有反應(yīng)，可以改變自己的基本特性。無源電子元件：當(dāng)施以電信號時不改變本身特性，即提供簡單的、可重復(fù)的反應(yīng)。

　　2、連接件：提供機(jī)械與電氣連接/斷開，由連接插頭和插座組成，將電纜、支架、機(jī)箱或其它PCB與PCB連接起來；可是與板的實(shí)際連接必須是通過表面貼裝型接觸。

　　3、異型電子元件：其幾何形狀因素是奇特的，但不必是獨(dú)特的。因此必須用手工貼裝，其外殼(與其基本功能成對比)形狀是不標(biāo)準(zhǔn)的例如：許多變壓器、混合電路結(jié)構(gòu)、風(fēng)扇、機(jī)械開關(guān)塊，等。

　　（1）疊層工藝技術(shù)

　　以前連通方式主要有三種，即：機(jī)械穿孔工藝(干法)、交迭印刷工藝（濕法）、內(nèi)連接工藝(濕法），然而這三種工藝技術(shù)都有不足之處，都難以有效地制作尺寸更小、更精細(xì)的片式元件。

　　現(xiàn)在對機(jī)械穿孔連接工藝做了很大改進(jìn)，采用激光穿孔、周密印刷、自動微孔注漿技術(shù)，使孔徑縮減到50μm，位置精度±20μm。印刷線寬、線距為50μm，位置精度±10μm。利用這種先進(jìn)工藝技術(shù)可以制作尺寸更小、更精細(xì)的片式元件和LTCC無源集成元件。

　?。?）超薄介質(zhì)層與納米粉料技術(shù)

　　現(xiàn)在的片式多層陶瓷電容器（MLCC）電容量已提高到100μf 并己實(shí)用化。之所以如此，是由于得到了超薄介質(zhì)層與納米粉料技術(shù)的強(qiáng)力支持。其介質(zhì)層既薄又均勻，表明了目前超薄介質(zhì)層技術(shù)的發(fā)展水平。為了使陶瓷介質(zhì)層薄到1μm上下，陶瓷粉料的顆粒度必須為納米級；為了將層數(shù)增加到幾百層，從成本考慮，必須采用金屬電極替代Ag/Pd。這樣開發(fā)抗還原納米陶瓷粉料就成了關(guān)鍵問題。目前，在這方面國內(nèi)外已經(jīng)有了飛躍發(fā)展。

　　（3）薄膜技術(shù)

　　前些年薄膜技術(shù)主要用來制造以微波集成為代表的薄膜電路。成本相當(dāng)高，產(chǎn)量規(guī)模也不大。近些年，薄膜制造技術(shù)大有發(fā)展，除了傳統(tǒng)的物理方法外，化學(xué)方法大顯神手，將薄膜制造技術(shù)帶入到低成本大規(guī)模的生產(chǎn)模式。用這種工藝技術(shù)制造的片式元件具有體積小，高頻特性優(yōu)異，并易于集成的特點(diǎn)。

　?。?）半導(dǎo)體微電子技術(shù)

　　在上世紀(jì)末的二十年中，半導(dǎo)體微電子技術(shù)發(fā)生了驚人的飛躍，從微米進(jìn)展到亞微米，進(jìn)而深亞微米，而且生產(chǎn)率高、成本低、可靠性好，目前我國的生產(chǎn)水平已達(dá)0.18微米。相比之下，無源元件制造技術(shù)的發(fā)展卻沒有這樣幸運(yùn)。這幾年無源元件開始借鑒、移植半導(dǎo)體微電子技術(shù)，這樣的明智之舉，立即取得了成效。

　?。?）高性能化

　　在市場驅(qū)動下，封裝尺寸縮小的同時，性能卻在日益提高。特別是在參數(shù)范圍擴(kuò)大、承受電流/功率的能力、無鉛化、可靠性方面有顯著提高。

　　（2）微小型/薄型化

　　人們曾經(jīng)認(rèn)為1005 (1.0×0.5mm)是片式元件最小封裝尺寸的極限，因?yàn)檫@樣微小型的封裝尺寸會給貼裝工藝帶來很多困難。然而表面貼裝技術(shù)的進(jìn)步使（0.4×0.2×0.2mm）成了當(dāng)前的主流封裝尺寸。同時片式元件的封裝尺寸并沒有止步于，還會繼續(xù)向小型化方向發(fā)展，究竟多大才是SMD器件的封裝尺寸，我們將拭目以待。

　?。?）陣列化/組件化

　　為了應(yīng)用方便并減小占居的PCB面積，各種片式元件都己陣列化。

　?。?）集成化/LTCC

　　無源集成是當(dāng)今的發(fā)展方向，低溫共燒（LTCC）是最適合用的無源集成技術(shù)。國外著名公司：美國國家半導(dǎo)體、摩托羅拉、日本村田等都已生產(chǎn)出大量LTCC產(chǎn)品，如：射頻模塊、藍(lán)牙模塊等，獲得了廣泛應(yīng)用，并且技術(shù)難度在不斷加大。LTCC技術(shù)有三大技術(shù)難點(diǎn)，即：摸擬仿真設(shè)計、專用材料和高精度工藝設(shè)備，不過現(xiàn)在這些技術(shù)國內(nèi)外的公司都已經(jīng)克服。

　?。?）高頻（射頻/微波）化

　　現(xiàn)代電子向高頻發(fā)展趨勢強(qiáng)勁，而且大多是便攜式，傳統(tǒng)的微波器件滿足不了要求，從而有力地促進(jìn)了片式高頻(射頻/微波)元器件的蓬勃發(fā)展.

　　melf圓柱形元件： 二極管, 電阻等

　　SOIC集成電路：

　　尺寸規(guī)格: SOIC08, 14, 16, 18, 20, 24, 28, 32

　　QFP 密腳距集成電路PLCC集成電路： PLCC20, 28, 32, 44, 52, 68, 84

　　BGA 球柵列陣包裝集成電路：列陣間距規(guī)格: 1.27, 1.00, 0.80

　　CSP 集成電路：元件邊長不超過里面芯片邊長的1.2倍, 列陣間距

　　Chip片電阻,電容等： 尺寸規(guī)格: 0201, 0402, 0603, 0805, 1206, 1210, 2010, 等。

　　鉭電容： 尺寸規(guī)格: TANA,TANB,TANC,TANDSOT

　　晶體管：SOT23, SOT143, SOT89等? SMD