陶瓷基片是一種常用的電子封裝基片材料，與塑 封料和金屬基片相比，其優(yōu)勢在于以下幾個方面：

　　1) 絕緣性能好，可靠性高。高電阻率是電子元件對基片 的最基本要求，一般而言，基片電阻越大，封裝可靠 性越高，陶瓷材料一般都是共價鍵型化合物，其絕緣 性能較好。

　　2) 介電系數(shù)較小，高頻特性好。陶瓷材料 的介電常數(shù)和介電損耗較低，可以減少信號延遲時間， 提高傳輸速度。

　　3) 熱膨脹系數(shù)小，熱失配率低。共價 鍵型化合物一般都具有高熔點特性，熔點越高，熱膨 脹系數(shù)越小，故陶瓷材料的熱膨脹系數(shù)一般較小。

　　4) 熱導(dǎo)率高。根據(jù)傳統(tǒng)的傳熱理論，立方晶系的BeO、 SiC 和AlN 等陶瓷材料，其理論熱導(dǎo)率不亞于金屬的。

　　因此，陶瓷基片材料被廣泛應(yīng)用于航空、航天和軍事 工程的高可靠、高頻、耐高溫、強(qiáng)氣密性的產(chǎn)品封裝。 陶瓷基片材料的封裝一般為多層陶瓷基片封裝， 該技術(shù)源于1961 年P(guān)ARK 發(fā)明的流延工藝，后來被 廣泛地用于混合集成電路(HIC)和多芯片模件(MCM) 陶瓷封裝。

　　從20 世紀(jì)60 年代至今，美國、日本等 發(fā)達(dá)國家相繼推出疊片多層陶瓷基片封裝材料和工 藝，陶瓷基片已經(jīng)成為世界上廣泛應(yīng)用的幾種高技術(shù) 陶瓷之一，而且日本是世界上最大的陶瓷基片生產(chǎn)國， 約占全球50[%]。目前，研究應(yīng)用最成熟的陶瓷基片 材料是Al2O3 基片，它具有良好的電氣性能和力學(xué)性 能。除了Al2O3 之外，還有A1N、BeO、Si3N4 和SiC 等。

　　隨著微電子技術(shù)的進(jìn)步，微加工工藝的特征線寬已達(dá)亞微米級，一塊基板上可以集成106～109個以上元件，電路工作的速度越來越快、頻率越來越高，這對基板材料的性能提出了更高的要求。作為混合集成電路（HIC）和多芯片組件（MCM）的關(guān)鍵材料之一，基板占其總成本的60％左右。陶瓷基板發(fā)展的總方向是低介電常數(shù)、高熱導(dǎo)率和低成本化。

　　目前，實際生產(chǎn)和開發(fā)應(yīng)用的陶瓷基片材料有Al2O3、AlN、SiC、BeO、BN、莫來石和玻璃陶瓷等。其中，BeO和SiC熱導(dǎo)率很高（³250W/m.K），但BeO因具有毒性，應(yīng)用范圍小，故產(chǎn)量低；SiC因體積電阻較?。?/font>