發(fā)光二極管還可分為普通單色發(fā)光二極管、高亮度發(fā)光二極管、超高亮度發(fā)光二極管、變色發(fā)光二極管、閃爍發(fā)光二極管、電壓控制型發(fā)光二極管、紅外發(fā)光二極管和負(fù)阻發(fā)光二極管等。

　　普通單色發(fā)光二極管

　　普通單色發(fā)光二極管具有體積小、工作電壓低、工作電流小、發(fā)光均勻穩(wěn)定、響應(yīng)速度快、壽命長等優(yōu)點，可用各種直流、交流、脈沖等電源驅(qū)動點亮。它屬于電流控制型半導(dǎo)體器件，使用時需串接合適的限流電阻。

　　普通單色發(fā)光二極管的發(fā)光顏色與發(fā)光的波長有關(guān)，而發(fā)光的波長又取決于制造發(fā)光二極管所用的半導(dǎo)體材料。紅色發(fā)光二極管的波長一般為650~700nm，琥珀色發(fā)光二極管的波長一般為630~650 nm ，橙色發(fā)光二極管的波長一般為610~630 nm左右，黃色發(fā)光二極管的波長一般為585 nm左右，綠色發(fā)光二極管的波長一般為555~570 nm。

　　常用的國產(chǎn)普通單色發(fā)光二極管有BT（廠標(biāo)型號）系列、FG（部標(biāo)型號）系列和2EF系列，見表4-26、表4-27和表4-28。

　　常用的進(jìn)口普通單色發(fā)光二極管有SLR系列和SLC系列等。

　　高亮度單色發(fā)光、超高亮度單色發(fā)光二極管

　　高亮度單色發(fā)光二極管和超高亮度單色發(fā)光二極管使用的半導(dǎo)體材料與普通單色發(fā)光二極管不同，所以發(fā)光的強(qiáng)度也不同。

　　通常，高亮度單色發(fā)光二極管使用砷鋁化鎵（GaAlAs）等材料，超高亮度單色發(fā)光二極管使用磷銦砷化鎵（GaAsInP）等材料，而普通單色發(fā)光二極管使用磷化鎵（GaP）或磷砷化鎵（GaAsP）等材料。

　　常用的高亮度紅色發(fā)光二極管的主要參數(shù)見表4-29，常用的超高亮度單色發(fā)光二極管的主要參數(shù)見表4-30。

　　變色發(fā)光二極管

　　變色發(fā)光二極管是能變換發(fā)光顏色的發(fā)光二極管。變色發(fā)光二極管發(fā)光顏色種類可分為雙色發(fā)光二極管、三色發(fā)光二極管和多色（有紅、藍(lán)、綠、白四種顏色）發(fā)光二極管。

　　變色發(fā)光二極管按引腳數(shù)量可分為二端變色發(fā)光二極管、三端變色發(fā)光二極管、四端變色發(fā)光二極管和六端變色發(fā)光二極管。

　　常用的雙色發(fā)光二極管有2EF系列和TB系列，常用的三色發(fā)光二極管有2EF302、2EF312、2EF322等型號。

　　閃爍發(fā)光二極管

　　閃爍發(fā)光二極管（BTS）是一種由CMOS集成電路和發(fā)光二極管組成的特殊發(fā)光器件，可用于報警指示及欠壓、超壓指示。

　　閃爍發(fā)光二極管在使用時，無須外接其它元件，只要在其引腳兩端加上適當(dāng)?shù)闹绷鞴ぷ麟妷海?V）即可閃爍發(fā)光。

　　電壓控制型發(fā)光二極管

　　普通發(fā)光二極管屬于電流控制型器件，在使用時需串接適當(dāng)阻值的限流電阻。電壓控制型發(fā)光二極管（BTV）是將發(fā)光二極管和限流電阻集成制作為一體，使用時可直接并接在電源兩端。

　　1. 電壓：LED使用低壓電源，供電電壓在6-24V之間，根據(jù)產(chǎn)品不同而異，所以它是一個比使用高壓電源更安全的電源，特別適用于公共場所。

　　2. 效能：消耗能量較同光效的白熾燈減少80[[%]]。

　　3. 適用性：很小，每個單元LED小片是3-5mm的正方形，所以可以制備成各種形狀的器件，并且適合于易變的環(huán)境。

　　4. 穩(wěn)定性：10萬小時，光衰為初始的50[[%]]。 　

　　5. 響應(yīng)時間：其白熾燈的響應(yīng)時間為毫秒級，LED燈的響應(yīng)時間為納秒級。

　　6. 對環(huán)境污染：無有害金屬汞。

　　7. 顏色：改變電流可以變色，發(fā)光二極管方便地通過化學(xué)修飾方法，調(diào)整材料的能帶結(jié)構(gòu)和帶隙，實現(xiàn)紅黃綠蘭橙多色發(fā)光。如小電流時為紅色的LED，隨著電流的增加，可以依次變?yōu)槌壬S色，最后為綠色。

　　8. 價格：LED的價格比較昂貴，較之于白熾燈，幾只LED的價格就可以與一只白熾燈的價格相當(dāng)，而通常每組信號燈需由上300～500只二極管構(gòu)成。

　　LED是一類可直接將電能轉(zhuǎn)化為可見光和輻射能的發(fā)光器件，具有工作電壓低，耗電量小，發(fā)光效率高，發(fā)光響應(yīng)時間極短，光色純，結(jié)構(gòu)牢固，抗沖擊，耐振動，性能穩(wěn)定可靠，重量輕，體積小，成本低等一系列特性，發(fā)展突飛猛進(jìn)，現(xiàn)已能批量生產(chǎn)整個可見光譜段各種顏色的高亮度、高性能產(chǎn)品。國產(chǎn)紅、綠、橙、黃的LED產(chǎn)量約占世界總量的12％，“十五”期間的產(chǎn)業(yè)目標(biāo)是達(dá)到年產(chǎn)300億只的能力，實現(xiàn)超高亮度AiGslnP的LED外延片和芯片的大生產(chǎn)，年產(chǎn)10億只以上紅、橙、黃超高亮度LED管芯，突破GaN材料的關(guān)鍵技術(shù)，實現(xiàn)藍(lán)、綠、白的LED的中批量生產(chǎn)。據(jù)預(yù)測，到2005年國際上LED的市場需求量約為2000億只，銷售額達(dá)800億美元。

　　在LED產(chǎn)業(yè)鏈接中，上游是LED襯底晶片及襯底生產(chǎn)，中游的產(chǎn)業(yè)化為LED芯片設(shè)計及制造生產(chǎn)，下游歸LED封裝與測試，研發(fā)低熱阻、優(yōu)異光學(xué)特性、高可靠的封裝技術(shù)是新型LED走向?qū)嵱?、走向市場的產(chǎn)業(yè)化必經(jīng)之路，從某種意義上講是鏈接產(chǎn)業(yè)與市場的紐帶，只有封裝好的才能成為終端產(chǎn)品，才能投入實際應(yīng)用，才能為顧客提供服務(wù)，使產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)環(huán)相扣，無縫暢通。 LED封裝的特殊性 LED封裝技術(shù)大都是在分立器件封裝技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展與演變而來的，但卻有很大的特殊性。

　　一般情況下，分立器件的管芯被密封在封裝體內(nèi)，封裝的作用主要是保護(hù)管芯和完成電氣互連。而LED封裝則是完成輸出電信號，保護(hù)管芯正常工作，輸出：可見光的功能，既有電參數(shù)，又有光參數(shù)的設(shè)計及技術(shù)要求，無法簡單地將分立器件的封裝用于LED。 LED的核心發(fā)光部分是由p型和n型半導(dǎo)體構(gòu)成的pn結(jié)管芯，當(dāng)注入pn結(jié)的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時，就會發(fā)出可見光，紫外光或近紅外光。但pn結(jié)區(qū)發(fā)出的光子是非定向的，即向各個方向發(fā)射有相同的幾率，因此，并不是管芯產(chǎn)生的所有光都可以釋放出來，這主要取決于半導(dǎo)體材料質(zhì)量、管芯結(jié)構(gòu)及幾何形狀、封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)與包封材料，應(yīng)用要求提高LED的內(nèi)、外部量子效率。常規(guī)Φ5mm型LED封裝是將邊長0.25mm的正方形管芯粘結(jié)或燒結(jié)在引線架上，管芯的正極通過球形接觸點與金絲，鍵合為內(nèi)引線與一條管腳相連，負(fù)極通過反射杯和引線架的另一管腳相連，然后其頂部用環(huán)氧樹脂包封。

　　反射杯的作用是收集管芯側(cè)面、界面發(fā)出的光，向期望的方向角內(nèi)發(fā)射。頂部包封的環(huán)氧樹脂做成一定形狀，有這樣幾種作用：保護(hù)管芯等不受外界侵蝕；采用不同的形狀和材料性質(zhì)(摻或不摻散色劑)，起透鏡或漫射透鏡功能，控制光的發(fā)散角；管芯折射率與空氣折射率相關(guān)太大，致使管芯內(nèi)部的全反射臨界角很小，其有源層產(chǎn)生的光只有小部分被取出，大部分易在管芯內(nèi)部經(jīng)多次反射而被吸收，易發(fā)生全反射導(dǎo)致過多光損失，選用相應(yīng)折射率的環(huán)氧樹脂作過渡，提高管芯的光出射效率。用作構(gòu)成管殼的環(huán)氧樹脂須具有耐濕性，絕緣性，機(jī)械強(qiáng)度，對管芯發(fā)出光的折射率和透射率高。選擇不同折射率的封裝材料，封裝幾何形狀對光子逸出效率的影響是不同的，發(fā)光強(qiáng)度的角分布也與管芯結(jié)構(gòu)、光輸出方式、封裝透鏡所用材質(zhì)和形狀有關(guān)。若采用尖形樹脂透鏡，可使光集中到LED的軸線方向，相應(yīng)的視角較??；如果頂部的樹脂透鏡為圓形或平面型，其相應(yīng)視角將增大。 一般情況下，LED的發(fā)光波長隨溫度變化為0．2-0．3nm／℃，光譜寬度隨之增加，影響顏色鮮艷度。

　　另外，當(dāng)正向電流流經(jīng)pn結(jié)，發(fā)熱性損耗使結(jié)區(qū)產(chǎn)生溫升，在室溫附近，溫度每升高1℃，LED的發(fā)光強(qiáng)度會相應(yīng)地減少1％左右，封裝散熱；時保持色純度與發(fā)光強(qiáng)度非常重要，以往多采用減少其驅(qū)動電流的辦法，降低結(jié)溫，多數(shù)LED的驅(qū)動電流限制在20mA左右。但是，LED的光輸出會隨電流的增大而增加，目前，很多功率型LED的驅(qū)動電流可以達(dá)到70mA、100mA甚至1A級，需要改進(jìn)封裝結(jié)構(gòu)，全新的LED封裝設(shè)計理念和低熱阻封裝結(jié)構(gòu)及技術(shù)，改善熱特性。例如，采用大面積芯片倒裝結(jié)構(gòu)，選用導(dǎo)熱性能好的銀膠，增大金屬支架的表面積，焊料凸點的硅載體直接裝在熱沉上等方法。此外，在應(yīng)用設(shè)計中，PCB線路板等的熱設(shè)計、導(dǎo)熱性能也十分重要。 進(jìn)入21世紀(jì)后，LED的高效化、超高亮度化、全色化不斷發(fā)展創(chuàng)新，紅、橙LED光效已達(dá)到100Im／W，綠LED為501m／W，單只LED的光通量也達(dá)到數(shù)十Im。

　　LED芯片和封裝不再沿龔傳統(tǒng)的設(shè)計理念與制造生產(chǎn)模式，在增加芯片的光輸出方面，研發(fā)不僅僅限于改變材料內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量，晶格缺陷和位錯來提高內(nèi)部效率，同時，如何改善管芯及封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)LED內(nèi)部產(chǎn)生光子出射的幾率，提高光效，解決散熱，取光和熱沉優(yōu)化設(shè)計，改進(jìn)光學(xué)性能，加速表面貼裝化SMD進(jìn)程更是產(chǎn)業(yè)界研發(fā)的主流方向。

　　發(fā)光二極管(LED)誕生至今．已經(jīng)實現(xiàn)了全彩化和高亮度化，并在藍(lán)光LED和紫光LED的基礎(chǔ)上開發(fā)了白光LED．它為人類照明史又帶來了一次飛躍。與自熾燈和熒光燈相比，LED以其體積小，全固態(tài)，長壽命，環(huán)保，省電等一系列優(yōu)點，已廣泛用于汽車照明、裝飾照明、手機(jī)閃光燈、大中尺寸，即NB和LCD．TV等顯示屏光源模塊中。已經(jīng)成為2l世紀(jì)最具發(fā)展前景的高技術(shù)領(lǐng)域之一LED是一種注入電致發(fā)光器件．由Ⅲ～Ⅳ 族化合物，如磷化鎵(GaP)、磷砷化鎵(GaAsP)等半導(dǎo)體制成 在~I-DN電場作用下．電子與空穴的輻射復(fù)合而發(fā)生的電致作用將一部分能量轉(zhuǎn)化為光能． 即量子效應(yīng)，而無輻射復(fù)合產(chǎn)生的晶格振蕩將其余的能量轉(zhuǎn)化為熱能。目前，高亮度白光LED在實驗室中已經(jīng)達(dá)到1001m／W 的水平，501m／w 的大功率白光LED也已進(jìn)入商業(yè)化，單個LED器件也從起初的幾毫瓦一躍達(dá)到了1．5kW。對大于1W 級的大功率LED而言，目前的電光轉(zhuǎn)換效率約為15％，剩余的85％轉(zhuǎn)化為熱能．而芯片尺寸僅為1mm×1mm～2．5mm~2．5mm．意即芯片的功率密度很大 與傳統(tǒng)的照明器件不同，白光LED的發(fā)光光譜中不包含紅外部分．所以其熱量不能依靠輻射釋放。因此，如何提高散熱能力是大功率LED實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化亟待解決的關(guān)鍵技術(shù)難題之一l。

　　2 熱效應(yīng)對大功率LED的影響

　　對于單個LED而言．如果熱量集中在尺寸很小的芯片內(nèi)而不能有效散出．則會導(dǎo)致芯片的溫度升高．引起熱應(yīng)力的非均勻分布、芯片發(fā)光效率和熒光粉激射效率下降。研究表明，當(dāng)溫度超過一定值時．器件的失效率將呈指數(shù)規(guī)律攀升．元件溫度每上升2℃，可靠性將下降l0％l2。為了保證器件的壽命，一般要求pn結(jié)的結(jié)溫在110℃以下。隨著pn結(jié)的溫升．白光LED器件的發(fā)光波長將發(fā)生紅移據(jù)統(tǒng)計資料表明．在100℃的溫度下．波長可以紅移4～9 nm．從而導(dǎo)致YAG熒光粉吸收率下降，總的發(fā)光強(qiáng)度會減少，白光色度變差。在室溫附近，溫度每升高l℃．LED的發(fā)光強(qiáng)度會相應(yīng)減少l％左右．當(dāng)器件從環(huán)境溫度上升到l20℃時．亮度下降多達(dá)35％。當(dāng)多個LED密集排列組成白光照明系統(tǒng)時．熱量的耗散問題更嚴(yán)重。因此解決散熱問題已成為功率型LED應(yīng)用的先決條件。

　　3 國內(nèi)外的研究進(jìn)展

　　針對高功率LED的封裝散熱難題．國內(nèi)外的器件設(shè)計者和制造者分別在結(jié)構(gòu)、材料以及工藝等方面對器件的熱系統(tǒng)進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計。例如。在封裝結(jié)構(gòu)上，采用大面積芯片倒裝結(jié)構(gòu)、金屬線路板結(jié)構(gòu)、導(dǎo)熱槽結(jié)構(gòu)、微流陣列結(jié)構(gòu)等；在材料的選取方面，選擇合適的基板材料和粘貼材料，用硅樹脂代替環(huán)氧樹脂。

　　3．1 封裝結(jié)構(gòu)

　　為了解決高功率LED的封裝散熱難題，國際上開發(fā)了多種結(jié)構(gòu)，主要有：

　　(1)硅基倒裝芯片(FCLED)結(jié)構(gòu)

　　傳統(tǒng)的LED采用正裝結(jié)構(gòu)，上面通常涂敷一層環(huán)氧樹脂．下面采用藍(lán)寶石作為襯底。由于環(huán)氧樹脂的導(dǎo)熱能力很差。藍(lán)寶石又是熱的不良導(dǎo)體，熱量只能靠芯片下面的引腳散出，因此前后兩方面都造成散熱困難．影響了器件的性能和可靠性。

　　2001年．LumiLeds公司研制出了A1GaInN功率型倒裝芯片結(jié)構(gòu)。圖1示出芯片的正裝結(jié)構(gòu)和倒裝結(jié)構(gòu)對比 LED芯片通過凸點倒裝連接到硅基上。這樣．大功率LED產(chǎn)生的熱量不必經(jīng)由芯片的藍(lán)寶石襯底．而是直接傳到熱導(dǎo)率更高的硅或陶瓷襯底，再傳到金屬底座，由于其有源發(fā)熱區(qū)更接近于散熱體．因此可降低內(nèi)部熱沉熱阻[21。這種結(jié)構(gòu)的熱阻理論計算最低可達(dá)到1．34K／W．實際已作到6~8K／W，出光率也提高了60％左右。但是，熱阻與熱沉的厚度是成正比的．因此受硅片機(jī)械強(qiáng)度與導(dǎo)熱性能所限。很難通過減薄硅片來進(jìn)一步降低內(nèi)部熱沉的熱阻，這就制約了其傳熱性能的進(jìn)一步提高。

　　(2)金屬線路板結(jié)構(gòu)

　　金屬線路板結(jié)構(gòu)利用鋁等金屬具有極佳的熱傳導(dǎo)性質(zhì)．將芯片封裝到覆有幾毫米厚的銅電極的PCB板上，或者將芯片封裝在金屬夾芯的PCB板上．然后再封裝到散熱片上，以解決LED因功率增大所帶來的散熱問題。采用該結(jié)構(gòu)能獲得良好的散熱特性，并大大提高了LED的輸入功率。美國UOE公司的Norlux系列LED．將已封裝的產(chǎn)品組裝在帶有鋁夾層的金屬芯PCB板上．其中PCB板用作對LED器件進(jìn)行電極連接布線．鋁芯夾層作為熱沉散熱。圖2示出金屬線路板結(jié)構(gòu)。其缺陷在于，夾層中的PCB板是熱的不良導(dǎo)體．它會阻礙熱量的傳導(dǎo)。據(jù)研究，將OSRAM公司的Golden Dragon系列白光LED芯片LW W5SG倒裝在一塊3ram~3mm．且水平放置的金屬線路板上，在LED器件與金屬線路板之間涂敷1898In—Sil一8熱接口材料，其系統(tǒng)熱阻約為66．12K／Wt”。

　　(3)微泵浦結(jié)構(gòu)

　　2006年Sheng Liu等人通過在散熱器上安裝一個微泵浦系統(tǒng)，解決了LED的散熱問題，并發(fā)現(xiàn)其散熱性能優(yōu)于散熱管和散熱片。在封閉系統(tǒng)中，水在微泵浦的作用下進(jìn)入了LED的底板小槽吸熱，然后又回到小的水容器中，再通過風(fēng)扇吸熱。圖3示出這種微泵浦結(jié)構(gòu)。它能將外部熱阻降為O．192K／W．并能進(jìn)行封裝[41。這種微泵結(jié)構(gòu)的制冷性較好．但如前兩種結(jié)構(gòu)一樣，若內(nèi)部接口的熱阻很大，則其熱傳導(dǎo)就會大打折扣．而且結(jié)構(gòu)也嫌復(fù)雜。

　　3．2 封裝材料

　　確定封裝結(jié)構(gòu)后．可通過選取不同的材料進(jìn)一步降低系統(tǒng)熱阻，提高系統(tǒng)導(dǎo)熱性能。目前，國內(nèi)外常針對基板材料、粘貼材料和封裝材料進(jìn)行擇優(yōu)。

　　(1)基板材料

　　對于大功率的LED而言，為了解決芯片材料與散熱材料之間因熱膨脹失配造成電極引線斷裂的問題．可選用陶瓷、Cu／Mo板和Cu／W板等合金作為散熱材料，但這些合金的生產(chǎn)成本過高，不利于大規(guī)模、低成本生產(chǎn)。選用導(dǎo)熱性能好的鋁板、銅板作為散熱基板材料是當(dāng)前的研究重點之一圈。

　　(2)粘貼材料

　　選用合適的芯片襯底粘貼材料．并在批量生產(chǎn)工藝中保證粘貼厚度盡量小．這對保證器件的熱導(dǎo)特性是十分重要的。通常選用導(dǎo)熱膠、導(dǎo)電型銀漿和錫漿這3種材料進(jìn)行粘貼。導(dǎo)熱膠雖有較低的硬化溫度(

　　(3)環(huán)氧樹脂

　　環(huán)氧樹脂作為LED器件的封裝材料。具有優(yōu)良的電絕緣性能、密著性和介電性能，但環(huán)氧樹脂具有吸濕性，易老化，耐熱性差，高溫和短波光照下易變色，而且在固化前有一定的毒性，故對LED器件的壽命造成影響。目前許多LED封裝業(yè)者改用硅樹脂和陶瓷代替環(huán)氧樹脂作為封裝材料，以提高LED的壽命。

　　3．3 小 結(jié)

　　總的來說．具有低熱阻、良好散熱能力以及低機(jī)械應(yīng)力的新式封裝結(jié)構(gòu)是封裝體的技術(shù)關(guān)鍵。不同的結(jié)構(gòu)和材料都需要解決芯片結(jié)到外延層、外延層到封裝基板、封裝基板到冷卻裝置這3個環(huán)節(jié)的散熱問題。由這3個環(huán)節(jié)構(gòu)成的固態(tài)照明光源熱傳導(dǎo)通道．其中出現(xiàn)任何一個薄弱環(huán)節(jié)都會使LED光源毀于一旦。結(jié)點到周圍環(huán)境的熱傳導(dǎo)方式有傳導(dǎo)、對流、輻射3種。意即，要想將功率LED的散熱性能和可靠性提升到最高．這三個環(huán)節(jié)都要采用熱導(dǎo)系數(shù)高的材料。

　　4 發(fā)展趨勢

　　目前．很多功率型LED的驅(qū)動電流都能達(dá)到70mA，lOOmA甚至lA級。隨著工作電流的加大，解決散熱問題己成為大功率LED實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的先決條件。根據(jù)上述LED器件的散熱環(huán)節(jié)．從以下幾方面對提高大功率LED的散熱性能進(jìn)行了研究。

　　(1)LED產(chǎn)生熱量的多少取決于內(nèi)量子效應(yīng)。在氮化鎵材料的生長過程中，改進(jìn)材料結(jié)構(gòu)．優(yōu)化生長參數(shù)，獲得高質(zhì)量的外延片，提高器件內(nèi)量子效率，從根本上減少熱量的產(chǎn)生，加快芯片結(jié)到外延層的熱傳導(dǎo)。

　　(2)選擇以鋁基為主的金屬芯印刷電路板(MC—PCB)、陶瓷、DBC、復(fù)合金屬基板等導(dǎo)熱性能好的材料作襯底，以加快熱量從外延層向散熱基板散發(fā)。通過優(yōu)化MCPCB板的熱設(shè)計．或?qū)⑻沾芍苯咏壎ㄔ诮饘倩迳闲纬山饘倩蜏責(zé)Y(jié)陶瓷(LTCC—M)基板，以獲得熱導(dǎo)性能好．熱膨脹系數(shù)小的襯底。

　　(3)為了使襯底上的熱量更迅速地擴(kuò)散到周圍環(huán)境．通常選用鋁、銅等導(dǎo)熱性能好的金屬材料作為散熱器。再加裝風(fēng)扇和回路熱管等強(qiáng)制制冷。無論從成本還是外觀的角度來看．LED照明都不宜采用外部冷卻裝置。因此根據(jù)能量守恒定律，利用壓電陶瓷作為散熱器，把熱量轉(zhuǎn)化成振動方式直接消耗熱能將成為未來研究的重點之一。

　　(4)對于大功率LED器件而言，其總熱阻是pn結(jié)到外界環(huán)境熱路上幾個熱沉的熱阻之和，其中包括LED本身的內(nèi)部熱沉熱阻、內(nèi)部熱沉到PCB板之間的導(dǎo)熱膠的熱阻、PCB板與外部熱沉之間的導(dǎo)熱膠的熱阻、外部熱沉的熱阻等，傳熱回路中的每一個熱沉都會對傳熱造成一定的阻礙，因此經(jīng)過長期研究認(rèn)為。減少內(nèi)部熱沉數(shù)量，并采用薄膜工藝將必不可少的接口電極熱沉、絕緣層直接制作在金屬散熱器上．能夠大幅度降低總熱阻．這種技術(shù)有可能成為今后大功率LED散熱封裝的主流方向。