現(xiàn)在能量轉(zhuǎn)換都是在電磁之間進(jìn)行，磁性材料的儲能是與頻率和體積直接相關(guān)的：E=0.5VB2f/u，頻率越高、磁性材料的體積越大、磁擺幅越大、磁導(dǎo)率越小都可以提高輸出功率。所以要提高功率密度，就要想辦法減小體積，提高頻率，增大磁擺幅。

從公式上看，降低磁導(dǎo)率也可以提高輸出功率，但這樣做的話，在相同磁擺幅條件下，磁場強(qiáng)度H將會增大，即NI增大，這樣可能會帶來更大的損耗，所以通常不會采用這種方法。

頻率的提升會帶來各種損耗增大，鐵損隨頻率提高而增大，集膚效應(yīng)和鄰近效應(yīng)使得銅損也會隨頻率提高而所有增大，MOS管的輸入輸出結(jié)電容損耗、漏感損耗都會隨頻率的提高而增大，不過這些問題可以通過軟開關(guān)等技術(shù)解決一部分。

頻率升高還會帶來其他問題，比如EMI、環(huán)路響應(yīng)，不過提高頻率是提高功率密度的必然選擇。

一般是為了提高功率密度
但又會帶來負(fù)面影響：紋波、噪聲、電感大小
所以雖然高頻化是一個(gè)趨勢，但實(shí)際中目前還是用幾百k足以（300k內(nèi)）

頻率高，則隔離變壓器可以做得更小，但問題也自然來了，開關(guān)管的開關(guān)損耗可能加大了，EMC/EMI問題也更難處理了。