MOS管關斷感性負載的保護機制

看到一芯片的內部結構有圖中紅色框中的電路部分，提到在外接感性負載時，會產生反電動勢，而內部的Z1和D1可以起到保護作用，那保護的原理是什么

提問者：FAI_weilijuan 地點：- 瀏覽次數(shù)：3184 提問時間：08-20 01:43

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9條回答: 綿陽迪賽劉總 08-24 18:01

似乎應該是PMOS....

這個應該是用來限制Ugs。

 評論0  贊11; 徐紅wendyxu 08-25 18:00

Q1才是保護感性負載的

 評論0  贊34; YHYDZ 08-26 05:20

D1和Z1是限制Ugs防止Ugs過大，Q1用于泄放感性負載關斷瞬間產生的大電流從而保護MOS管的

 評論0  贊2; q153605268 08-22 22:23

因為是NNOS，如果S極感應出負高壓，而G極又被D1、Z1鉗住，所以UGS>0，然后NMOS導通。

 評論0  贊91; 穩(wěn)特電子 08-24 13:21

qq609048002 完全就沒看 5樓的管型瞎扯蛋了。
9樓說到點子上了。當由于感性負載使NMOS管的源極(S)出現(xiàn)負壓，且大于Zds所鉗制的電壓，即源極電壓小于(Vs-Vzds)時，Vzd導通，進而使NMOS管導通，給感性負載提供續(xù)流回路，以保護芯片的端口。

 評論0  贊32; lining870815844 08-20 18:38

那這樣的話會不會出現(xiàn)一種情況是，源級雖然產生了負壓，但是其幅值較小，導致柵級跟源級之間的電壓值較小而不能使MOS管導通。

 評論0  贊24; jiangwenwen 08-21 11:57

頂一下，如果會有上面的情況的話，那如果外接感性負載的話外面一定要接續(xù)流二極管了。

 評論0  贊96; nmsaknd 08-22 11:23

同意4樓，9樓。
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感性負載關斷后，磁場儲能需要一個辭放的通道，一般會采用專門的消磁電路，如：RC，RCD，D，有源鉗位等；
本案的應用，則勿需專門的消磁電路，當驅動脈沖關閉后，感性負載電流會下降，自感電動勢上負下正，讓NMOS處于恒流區(qū)消耗磁場能量。直到消磁完成后自感電動勢消失，實現(xiàn)軟關斷。保護NMOS不被擊穿。

 評論0  贊52; 陜西友航電子科技有限公司 08-26 16:09

感謝樓上的回復，基本明白了，等再實驗試一下。

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MOS管關斷感性負載的保護機制