這幾天在用FRAM(富士通的一款內(nèi)置2K FRAM的RFID芯片MB89R118C)，對(duì)FRAM初次接觸，學(xué)習(xí)了不少皮毛，Google了一些資料順便分享給大家，拋磚引玉，有用過的大牛也給小弟一些指導(dǎo)哈（特別是目前主流器件關(guān)鍵性能的比較）！

鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢(shì)結(jié)合在一起。FRAM產(chǎn)品包括各種接口和多種密度，像工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行和并行接口，工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的封裝類型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、128Kit、256Kbit、1Mbit和4Mbit等密度

物理上的實(shí)現(xiàn)方式太過深?yuàn)W干澀，想了解的同志自己百度/Google一下。談?wù)勮F電的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用。
FRAM優(yōu)勢(shì)：
1. 快速寫入，EEPROM寫入速度為毫秒級(jí)，F(xiàn)RAM可以做到納秒級(jí)。
2. 高耐久性，數(shù)據(jù)手冊(cè)顯示MB89R118的可擦寫次數(shù)為100億次，
3. 低功耗。

下面是具體的比較數(shù)據(jù)
讀寫速度是電可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）讀的40，000倍
擦寫次數(shù)是電可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）擦的1000,000倍
功耗是電可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的1/1,000



再列舉幾個(gè)FRAM在行業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中與其他存儲(chǔ)器相比較的主要優(yōu)勢(shì)：

頻繁掉電環(huán)境
　　任何非易失性存儲(chǔ)器可以保留配置?？墒?，配置更改或電源失效情況隨時(shí)可能發(fā)生，因此，更高寫入耐性的FRAM允許無任何限制的變更記錄。任何時(shí)間系統(tǒng)狀態(tài)改變，都將寫入新的狀態(tài)。這樣可以在電源關(guān)閉可用的時(shí)間很短或立即失效時(shí)狀態(tài)被寫入存儲(chǔ)器。

高噪聲環(huán)境
　　在嘈雜的環(huán)境下向EEPROM寫數(shù)據(jù)是很困難的。在劇烈的噪音或功率波動(dòng)情況下，EEPROM的寫入時(shí)間過長(zhǎng)會(huì)出現(xiàn)漏洞（以毫秒衡量），在此期間寫入可能被中斷。錯(cuò)誤的概率跟窗口的大小成正比。FRAM的寫入執(zhí)行窗口少于200ns。


RFID系統(tǒng) 在非接觸式存儲(chǔ)器領(lǐng)域里
FRAM提供一個(gè)理想的解決方案。低功耗訪問在RFID系統(tǒng)中至關(guān)重要，因?yàn)?，能源消耗是以距離成指數(shù)下降的。想要以最小的能耗讀寫標(biāo)簽數(shù)據(jù)就必須保持標(biāo)簽有足夠近的距離。通過對(duì)射頻發(fā)射機(jī)和接收機(jī)改進(jìn)寫入距離，降低運(yùn)動(dòng)的靈敏性（區(qū)域內(nèi)的時(shí)間）以及降低射頻（RF）功率需求，使需要寫入的應(yīng)用（i.e.借記卡，在生產(chǎn)工序中使用的標(biāo)簽）獲得優(yōu)勢(shì)。
診斷和維護(hù)系統(tǒng)
在一個(gè)復(fù)雜的系統(tǒng)里，記錄系統(tǒng)失效時(shí)的操作歷史和系統(tǒng)狀態(tài)是非常寶貴的。如果沒有這些數(shù)據(jù)，能夠準(zhǔn)確的解決或執(zhí)行需求指令是很困難的。由于FRAM具備高耐久性的特點(diǎn)，可以生成一個(gè)理想的系統(tǒng)日志。從計(jì)算機(jī)工作站到工業(yè)過程控制不同的系統(tǒng)，都能從FRAM中獲益。